硅中氧、碳及其含量测定.doc

。尽管氧的含量不高,在百万分之二十(20ppma)左右,相当于硅晶体中直线距离不到40个硅原子有一个氧原子,它们的作用却不可忽视。硅中的氧,取决于它存在的量、分布和存在的方式,对硅中缺陷的形成和晶片的特性有重要的影响。因此,精确地测定和控制硅单晶中的氧含量是硅材料制造和器件加工中必不可少的环节,硅中氧含量是当今硅材料与器件制造业进行验收、工艺监控以及研究开发所必需掌握的关键数据。直拉硅单晶中的氧是在晶体生长过程中由熔硅进入。而熔硅中的氧主要由石英坩埚的溶解而引入。高温下的熔硅会和它与接触的石英坩埚壁反应,使石英溶解,石英中的氧溶入熔硅。含氧的熔硅被强烈的对流搅拌,带至熔硅上部暴露的表面和生长晶体的界面附近。到达表面的氧以SiO的组成向气氛发散,被气流带走。到达生长界面的氧就进入生长中的晶体。在实际的生长系统中,由石英溶解进来的氧绝大部分被带到暴露的表面挥发走,只有很小部分(大约2%)进入硅晶体。进入硅晶体的氧含量与上述过程中的每一个环节都有关,因此影响因素较多:原料多晶硅和吹扫气氩气的含氧量,石英坩埚材质和表面涂层,熔硅直径与深度的比例,石墨热场设计所决定的坩埚壁的温度,由坩埚和晶体转动所引起的对流,吹扫气流在炉内(特别是熔硅上部)流动的分布,以及外加磁场的方式,都可能对氧的引入,即晶片中氧的浓度及其分布,产生重要作用。在晶体生长过程中这些因素会发生变化,所以,晶体中不同部位的氧含量也会相应变化。在高温下引入硅中的氧处于固溶体状态。随着晶体生长后的冷却,这些氧逐渐处于过饱和状态。这时,由于已处于固态,氧原子在硅晶格中的移动受到限制。如果高温下的历程不是太久的话,这些氧原子会保持这种过饱和状态,以填隙原子的形式存在于硅晶格中。通常由直拉法生产的硅晶片中的氧大多都是处于这种状态。这种过饱和的氧处于一种不稳定的状态。硅晶格中处于填隙位置的氧原子引起临近的局部挤压应力。随着温度的上升,氧原子在硅晶格中的热振动逐渐加强,有了移动趋向增强。氧原子附近的局部应力就成了它们移动的推动力。氧原子的结合有利于缓解这种应力,于是就有了结合的倾向。有关氧原子结合的最早发现的一个现象就是热施主效应:含有氧的硅单晶在350-500℃之间(在450℃时最强)热处理几小时后,可发现n型样品的电阻率降低,p型样品电阻率升高(有时甚至转型),犹如产生了一定数量的施主。这种施主产生的速度和数量取决于晶体中氧的浓度、氧存在的状态、热处理的温度、时间以及处理前晶体的热历史。单晶中氧含量(严格地说应是位溶解的氧)越多,处理时间越久,产生的施主就越多,最多可达5×1016/cm3()。这种施主在高温下不太稳定,在500℃以上进一步热处理时会消失。这种因氧而产生的施主叫做热施主。研究表明它们是氧原子聚集的初期,处于络合状态。后来进一步研究发现还存在另一类由氧引起的施主,这类氧施主在较高的温度下(约750℃)形成,热稳定性较高,称作新施主。这种新施主的形成和行为与硅中氧的进一步聚集有关。在这样的温度下,硅中氧原子的作用范围和活动性已足以形成一定密度一定大小的成核中心,其中一部分有可能加入更多的氧原子而进一步长大,最后形成稳定的SiO2析出物。这种析出物有较强的作用范围,吸引周围的异类杂质和点缺陷,构成硅晶格中的微缺陷。无论是氧引起的施