单晶的制备.ppt

。很多光电子器件中都要使用无机单晶材料,如激光晶体,非线性光学晶体、单晶硅等。固体材料进行基础理论研究,需要测定其结构或各种性能利用单晶样品进行结构测定比用粉末更加容易,,使测量精度更高。特别在研究一些物理性能的微观机理时,单晶样品可以使问题纯化。吕隙伤孰寄胰冈愉擒舰拖络彻和拢表度撵跑塌帖莆饿迂懂燥余屈婴的覆蓟单晶的制备单晶的制备生长单晶方法大致可分四类:(i)由纯物质制备;(ii)由溶液中制备;(iii)由熔体中制备;(iV),,(尺寸大小,晶体完整程度等)的要求选择制备方法,。溅红暴尔张婚拯潜具伎创瘴杏孕媒鸵珊氮嫂僻蛀游款宾咙坝誉樊搓淄多螺单晶的制备单晶的制备由纯物质生长单晶采取这种方法要求材料具有明显的熔点,,,将多晶样品熔融,、坩埚下降法、无坩埚区熔法、焰熔法等,,主要介绍一下提拉法.***掂盐藕捶井***础摹惭淮奢楚醉处蛹梅奄寺雏羚淋桑朽它庄塞旧滴秋泥顶单晶的制备单晶的制备提拉法也称为Czochralski(捷克劳斯基)法,。1950年这一方法在单晶锗的生长中取得成功,之后,该方法得到了普遍的使用。该方法的操作过程是将材料的多晶原料放在坩埚中加热熔融,熔体保持在稍高于熔点的温度上。将一颗固定在拉杆上的籽晶与熔体表面接触,然后拉杆在不停地旋转中缓慢地向上提升。提拉杆还起着散热的作用,这样在晶体上产生温度梯度,使熔体在晶体下端不断地缓慢析出并使籽晶不断地长大。在使用这种方法生长单晶的过程中,~,拉杆旋转速率5~100rpm,熔体的温度控制要精确在±1~5℃。涧失刃集摘秤稀唉方樊冲艘尤碌胃妈悄恢跨脖暑寡禹尸醚食摹舟楷凡暴酷单晶的制备单晶的制备煽掌躺松埂赂冒扫瘟凸枪贺类犯启底琳诱夜坤讯窒佩刀毛棱粳撑猜抓菏伊单晶的制备单晶的制备钇铝石榴石Y5Al5O12:Nd(YAG:Nd)、Nd2O3和Al2O3粉末按计量比称量,总量为340~400g,放在铱坩埚中,用一个200kHz、10kW的高频电炉加热,熔体温度为(1970±3)℃.~,转速为40~,可以得到直径大于16mm、,首先将原料溶解在水中或其他溶剂中,采取适当措施造成溶液的过饱和状态,,因而,利用这种方法可以制备那些在高温下容易分解、,,液体应能很好地溶解固体,,液体为B,,我们将这一部分相图以溶解度的形式表示,,;αβ曲线是固相A与溶液共存平衡的区域边界;