从p型zno(ingangan)多量子阱(n型gan)发光二极管的电致发光发射..doc

从P型ZnO(InGaN/GaN多量子阱(n型GaN发光二极管的电致发光发射对于紫外-可见光范围的发光器件,氮化镓(GaN是一个非常有前途的材料,其宽能隙(,高导热(,高击穿电场,高化学稳定性,高电子饱和速度。虽然,许多的努力一直致力于生长空穴浓度高的高品质的P型GaN,但是典型的p型GaN电阻率是1欧姆/厘米,-GaN,导致在实现高效率氮化镓发光二极管的拖延。因此,用具有高空穴浓度以及适当的化学结构结构和光学性质的p型半导体层取代P-GaN层是必要的。近日,-。报道也称,.。此外,众所周知在有机金属化学气相沉积(%的平面晶格失配的纤锌矿结构。此外,−−6K的热膨胀系数很接近。这些事实表明,P-氧化锌可以取代p型GaN作为一个空穴提供层用于GaN发光二极管。比如说,,导致空穴注入难度的降低。此外,,导致混合LED的光子逃逸概率的增加。在本文中,通过在InGaN/GaN多量子阱LED涂覆Sb掺杂的p型ZnO层,混合LED被证明是可行的。。从混合LED中可以观察到一个波长为468纳米的蓝色电致发光(EL光波。在1070°C氢气氛围中净化蓝宝石衬底,然后在570°。缓冲层经过高温退火,在1150°C的温度下生长5微米的无掺杂的GaN层和2微米的Si参杂的n型GaN层。五对未掺杂的InGaN量子肼和InGaN量子肼在820°C下生长3纳米,并且900°C下在n型GaN层生长7纳米的无掺杂GaN阻碍层。在生长InGaN/GaN多量子阱后,样品被装入到ZnO的MOCVD的反应堆来生长Sb掺杂的ZnO层。Sb掺杂的ZnO层生长温度,压力,成长率doped分别为750°C,50托,。二乙基锌、三***锑和氧气分别作为锌源,p型掺杂源和氧化剂。InGaN/GaN量子肼上生长Sb掺杂的ZnO之后,在氮气环境下进行1分钟的快速热退火(RTA来激活Sb掺杂的ZnO。为了制作一个大小为300*300微米2的混合LED,Sb掺杂的ZnO层部分被腐蚀在稀盐酸溶液,然后对LED进行腐蚀,直到通过使用甲烷/***气/氢气/氩气的电感耦合等离子体源使n型GaN层暴露。使用Cr(30nm/Au(80nm作为一个混合LED的p型和n型电极。为了消除来自p型半导体NiO或氧化镍金合金的空穴注入的争议,在这篇文章中不使用已频繁用于P-ZnO欧姆金属接触的NiO或氧化镍金合金。为了对于电学和光学性质的比较性研究,参考没有电流扩散层的GaNLED和使用了厚度为200纳米的p型GaN层的LED。作为参考LED的p型和n型电极和混合LED相同。为了测量锑掺杂氧化锌的导电率,在C-蓝宝石上生长的厚度大约为1微米的Sb掺杂ZnO薄膜上用范德堡配置进行霍尔测量。Sb掺杂ZnO薄膜在氮气环境下使用退火过程退火1分钟。