离子注入(pdf课件)..doc

DoNotCopy二、注入工艺的设计二、注入工艺的设计请记录+注入为例来以n-Si中的BB+注入为例来估算离子注入的能量和剂量估算离子注入的能量和剂量-3的硅样中,通过注[例例2]:在基区杂质浓度C=6×1018cm-3通过注入P+来作发射结,希望最大掺杂浓度达到8×1021cm-3,而结深xj=,估算入射能量和剂量。B和离子注入的结深xxj及峰值浓度及峰值浓度,试估算离子注入能量E和剂量Q0Cmax,试估算离子注入能量0。2éCmaxù2M1M2①根据xj=Rp+2ln(úDR与DRP»RêCBûP3M1+M2Pë可求出△可求出△RP和RP;;1求解步骤求解步骤:假定:假定B+在硅中的分布呈对称的高斯分布。在硅中的分布呈对称的高斯分布。解:思路:思路:欲求入射离子的欲求入射离子的E和Q0,已知Cmax和和xj,又知EE与RRP和△△RP有关;QQ0与Cmax有关。有关。①根据根据结深的计算公式结深的计算公式和和△RRP与与RP之间的关系式可求出RP与△RRP的值,的值,②根据E~RP或E~△RP的关系图查知EE,再利用再利用Cmax~Q0的关系计算出Q0。(x-RP设发射区杂质浓度发射区杂质浓度分布为高斯分布,分布为高斯分布,C(x=Cmaxexpê-ú22éëùû②再根据②再根据△△RP或RRP~E关系曲线,查出关系曲线,查出E之值。值。P~E或③再由③再由Cmax=2010-5-12由此可得:xj=Rp+ê2ln(又知DRP»612010-5-12éQ0»,求出,求出Q0的值。0的值。2pDRPë2M1M2R3M1+M2PCmaxùúDRPCBû212DRP联立两式可求出RP与与△RP的值的值62+注入硅中的情况:对于对于PP+注入硅中的情况:M1=31,M2=28,DRP»//,xj,M1,M2的值的值,可得:,可得:max,C所以DRP»,RP»~RP关系和E~△RP关系图可知:当当△△RP=,RRP=,离子的入射能量EE大约在30~50keV范围内范围内。。Q0根据Cmax=可得Q0=2pDRPCmax2pDRP则Q0=2pDRPCmax=2´´´10-4cm´8´1021cm-3»´1016cm-216cm-2。即所求P+入射能量和剂量分别为30~×1010162010-5-12632010-5-1264一、离子注入与扩散杂质剖面与分布的比较二、~-5-12aa-b剖面图2010-5-1266DoNotCopynpnnpn晶体管中杂质浓度的纵向分布晶体管中杂质浓度的纵向分布((A剖