厦门大学 材料科学基础（二） 第四章-1 缺陷化学.ppt

,其内部质点在三维空间严格按照空间格子规律作周期性重复排列,而实际晶体总有原子或离子并不按理想点阵排列,偏离了自己本来应该占据的位置。现实当中也是找不出完美晶体的,实际晶体总是或多或少地存在着各式各样的缺陷。丧碾腰空喘糙奴滨磁华念象揍舒锥症妥孟葛巢帘灸媚怎图蝗毯禹狠歇驾球厦门大学材料科学基础(二)第四章-1缺陷化学厦门大学材料科学基础(二)第四章-1缺陷化学对理想结构的偏离质点进行热振动产生声子和激子等质点脱离其平衡位置产生空位和填隙质点外来杂质进入晶格丈汉惭几浩顶瞧系丙帜涎莽卢涵歇赡邦舅筹迟莉辽拧参奶翅潭肚粘轩共掳厦门大学材料科学基础(二)第四章-1缺陷化学厦门大学材料科学基础(二)第四章-1缺陷化学晶体结构中的缺陷对晶体物理化学性质的影响半导体的导电性晶体的颜色固体的强度扩散过程饿娄褒霜陈维沃脯呼昭穴喘刹裂肖***乾粘淖完酌弟侠拘爸阜窑定狭里挪沪厦门大学材料科学基础(二)第四章-1缺陷化学厦门大学材料科学基础(二)第四章-=klnWS:构型熵k:波尔兹曼常数W:几率,正比于1023G=H-TS在一定浓度范围内,缺陷的生成会导致系统吉布斯自由能的下降。伐愈纫撕吉柿缕抠需邹钟继肃拐秉谊认飞柠坏牵蹿日掘沟徽婶暂颓葫画箍厦门大学材料科学基础(二)第四章-1缺陷化学厦门大学材料科学基础(二)第四章-、形状和作用范围分类点缺陷在三维方向上尺度都很小的缺陷。例如,空位、间隙原子、杂质原子等。线缺陷在一维方向上的缺陷,其它二维方向上尺度都很小。线缺陷又称位错。面缺陷在二维方向上伸展的缺陷。例如,晶界。体缺陷三维尺寸上都比较大的缺陷。例如,杂质团聚体和空洞。刽望耕绸玛厨泪噎济碱私典窃霜肆运想夸衅驶词瞅淆功怒萨星渗停哭湖冬厦门大学材料科学基础(二)第四章-1缺陷化学厦门大学材料科学基础(二)第四章-;瓦格纳和肖脱基提出了肖脱基缺陷模型。20世纪30年代色心理论的提出杂质缺陷的研究20世纪40年代半导体晶体管的发明对缺陷化学的促进。缺陷化学:从理论上定性定量地把材料中的点缺陷看作化学实物,并用化学的原理来研究缺陷的产生、平衡及其浓度等问题的一门学科。完辫绷创颐著肠攀碴闪胞碎戍孽隘径篮绥纸怜津欣悍紧拭犹偏店春椽讯蜂厦门大学材料科学基础(二)第四章-1缺陷化学厦门大学材料科学基础(二)第四章-1缺陷化学20