MOSFET管开关电路基本知识总结.doc

一直以来模拟电路就学的不好,好不容易把三极管了解完了,就一直没敢碰MOSFET了,没想到两年后还是会遇到,不过有一句话倒是很不错,就是技术这个东西不能太深入,否则你会发现其实都很简单.(一MOSFET管的基本知识MOSFET是利用半导体表面的电场效应进行工作的,,其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种,所谓耗尽型就是当0GSV=时,存在导电沟道,0DI≠,所谓增强型就是0GSV=时,没有导电沟道,即0DI=.以上是N沟道和P沟道MOS管的符号图,其相关基本参数:(1开启电压Vth,指栅源之间所加的电压,(2饱和漏电流IDSS,指的是在VGS=0的情况下,当VDS>|Vth|时的漏极电流称为饱和漏电流IDSS(3最大漏源电压VDS(4最大栅源电压VGS(5直流输入电阻RGS通常MOS管的漏极与源极与以互换,但有些产品出厂时已将源极与衬底连在一起,这时源极与漏极不能对调,:上表指出其源极与漏极之间的电压差为20V,而且只能是S接正极,D接负极,栅极与源极之间的最大电压差为8V,,由S->D流向,脉冲电流为10A这是表示在0GSV时,VDS=-16V时的饱和漏电流,,并指出了其DS间导通电阻值.(二MOSFET做开关管的知识一般来讲,三极管是电流驱动的,MOSFET是电压驱动的,因为我是用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用MOSFET做,这样也可以节省系统功耗吧,在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题,比如一个5V的电源,,这时候要考虑负载能不能接受了,我曾经遇到过这样的问题就是负载的最小工作电压就是5V了,经过管子后发现系统工作不起来,后来才想起来管子上占了一部分压降了,类似的问题还有在使用二极管的时候(.(搭铁低边开关;b-;b-.(搭铁低边开关;栅-;栅-源反向电压导通总结:低边开关用NPN管高边开关用PNP管三极管b-e必须有大于C-E饱和导通的电流场效应管理论上栅-源有大于漏-源导通条件的电压就就OK假如原来用NPN三极管作ECU氧传感器加热电源控制低边开关则直接用N-Channel场效应管代换;或看情况修改下拉或上拉电阻基极--栅极集电极--漏极发射极--