CMOS带隙基准源的研究现状.doc

本科学生学年论文论文题目:CMOS带隙基准源的研究现状学院: 年级: 专业: 姓名: 学号: 指导教师:   年 月 日摘要带隙基准电路是集成电路中的重要单元,输出不随温度、电源电压变化的基准电压或基准电流,基准源在模拟和混合集成电路中应用非常广泛,比如数据转换电路和稳压电路等。本文简单介绍了CMOS带隙基准源的发展历程、最近几年发展情况以及未来发展前景,介绍了目前在某些研究领域中的发展及研究现状,分析了传统带隙基准源的不足;简单介绍了CMOS带隙基准源的基本原理以及电路种类及其各自特点,重点介绍了国内学者所集中研究的几种新型带隙基准源电路,以及这些新的设计方法存在哪些不足,应该怎样改进等等,分析了CMOS带隙基准源的下一步发展趋势。关键词带隙基准;低电压;低功耗;高精度;温度系数AbstractBandgapreferencesourceisanimportantunitinintegratedcircuits,,,inrecentyears,developmentsandfutureprospectsfordevelopment,currentdevelopmentandresearchofthestatusquo,insomeresearchareasandthelackofaconventionalbandgapreferencesouce;Sbandgapreferencecircuittypesandtheirrespectivecharacteristics,focusingonthedomesticscholarshavefocusedonseveralnewbandgapreferencecircuit,andthesenewdesignmethodswhataretheweaknesses,;lowpower;lowsupplyvoltage;highprecise;Temperaturecoefficient目录摘要  IAbstract  II前言  ii第一章绪论        2第二章CMOS带隙基准源的基本原理        5第三章改进的CMOS带隙基准源                    10第四章带隙基准源的发展  12结论  13参考文献  14致谢  15前言迄今为止,市面上推出的基准电压源根据其技术工艺不同大致可分为三种类型:掩埋齐纳基准、XFET基准和带隙基准。掩埋型齐纳二极管是一种比常规齐纳二极管更稳定的特殊齐纳二极管,这是因为它采用了将击穿区植入硅表面以下的结构。掩埋齐纳基准则是由掩埋型齐纳二极管构成的基准。它具有很高的初始精度,好的温度系数和长期漂移稳定性,噪声电压低,总体性能优于其它类型的基准,故常用于12位或更高分辨率的系统中。掩埋齐纳基准通常要求至少SV以上的供电电压,并要消耗几百微安的电流,功耗比较大,并且价格比较昂贵。XFET(extraimplantationjunctionFieldEffectTransistor)基准是一种新型的电压基准,其核心是利用JFET(ionFieldEffeetTransistor)设计的,利用一对具有不同夹断电压JFET,将其差分输出电压放大以产生一个稳定的基准电压。由于两个JF