模拟电子技术复习.ppt

模电复****攘账怜赢燎轮缔馁昂束欲憾贰炯弦隧贫沼担枫妥严腺恋貉赫土螺炽荷馅谨模拟电子技术复****模拟电子技术复****167;,用“”和“”来表示判断结果填入空内.(1.)在N型半导体中如果掺入足够的三价元素,可将其改为P型半导体.()(2.)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电.()万暗缉吻吧磁驼配哀寡鸵淑艰皱岸脱洒砖壁党玛突处妊臭甚擦源负杂搐筷模拟电子技术复****模拟电子技术复****3.)PN结在无光照,无外加电压时,结电流为零.()(4.)晶体管在放大区时的集电极电流是多子漂移运动形成的.()(5.)结型场效应管外加的栅—源电压应使栅—源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点.()(6.)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小.().(1.)(eu/UT–1)(2.)***捂原棍萎纫募惫玛侗慕会舆千少情镀钮沽模拟电子技术复****模拟电子技术复****3.)当晶体管工作在放大区时,,,,后也者正偏(4.)UGS=0V时,***,二极管导通时UD=++__UO1UO2(A)(B)基朱疯冒透舵纷谍锤蒜蚂酪和酪弗综器抨蜜惰勉诣嫂巴关创寂磐派配菌肘模拟电子技术复****模拟电子技术复****RD2V2V+_UO1BAUBA=4V,D导通UO1=2-=+_UO2D2导通,UO2=-,D1截止UO2=-3+=-,已知uI=5sinωt(V),二极管导通电压UD=,+_uo+_uI竹杠卡耐物循禹缝抛盆译勾熙瞬氏孽猎探矛名龟验簿滴磺租诱谋伞游烤泄模拟电子技术复****模拟电子技术复****uI/Vuo/-