AlGaInP DHLED的pn结特性.pdf

万方数据
.膒崽匦超保赜嘈,王维彪高丹,梁静秋褐恤,田发光学报摘要:针对第卷第文章编号:——膒崽匦越辛死砺鄯治觯贸龅缌髅芏菾与电压墓叵怠Mü齅进行模拟分析,结果表明:当温度一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大;当电压过大时,电流密度几乎不增大。随着电压的升高,器件产生焦耳热增多,影响器件的工作特性,最终缩短氖倜W酆峡悸牵詈蟮贸隼砺凵系淖罴逊⒐:坏缪沟缌魈匦裕籶幔患虿氲继中图分类号:文献标识码:..猙甒年中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,吉林长春;泄蒲г捍笱В本”,.,獄琓唬珺,:—..瑃瑃—,,..;收稿日期:..:修订日期:——基金项目:国家自然科学基金;吉林省科技发展计划;吉林省科技厅项目资助作者简介:高丹,女,吉林长春人,主要从事⑾允炯烧罅行酒难兄啤..,;獀;猰篻畉,,珻,甎,猰簑甤
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岫嘉支篓燮鳌鄱蓉康氖怠R蛭!∥九甃外延层结构及材料,引特性言高的发光效率。年,狿与口层,,使射向衬底的光的效率。后来甃又发展为多量子阱的芯片结构。狶是目前大功率黄、工作是基于器件特性的测量。但是结的特性对器件性能有很大影响,同时也是设计各种结,特性进行了研究。。因素影响下不可能自发跃迁到更高能级。当吸收足够能量的光子时,电子吸收能量后被激发,脑O挡牧鲜侵谱鞲吡炼萀的几乎相同,价带顶和导带最低的直接谷都在占洳祭镌ㄇ行牡膔点。而导带最低的因为光致发光测量可以确定直接带隙,;目矶龋;。一;四元系材保饬靠傻肊,和D芰克婧由上述两个公式可知,珿叉点在短发光波长应为,。,,从而使有源层均匀的发光也甃为双异质结结构的简并半导体,由于存在双侧限制,所以比普通哂懈公司用脑2牧铣晒ρ兄瞥龅一只高亮NA嘶竦酶玫牡缌骼┱。因为憧梢员苊獬牡譍被反射回上表面,所以峁箍梢蕴岣咂骷橙、红光闹饕2牧稀甃器件的,特性是制备器件和衡量器件性能的重要指标。目前尚很少有关于结海畒特性理论的研究报道,较多的骷幕 S捎谒熘式酇—。所以本文对双异质结简并半导体的能烧罅衅骷銮捌诶砺厶教郑范牧咸匦理想的半导体在薄<鄞耆ū坏缱诱满处于满价状态。所以价带中的电子在无外界通过禁带跃迁到空的导带,价带中会留下一个空穴,,即发生本征吸收。发生本征吸收的条件是光子的能量必须大于或等于禁带宽度,即砌≥。本征吸收形成一个连续吸收带,并且具有一长波吸收限#痸。。因此从光吸收的测较理想材料。珿R弧¨。.,隚牡的晶格可以完全匹配,并且其能带结构参数与间接谷在悖⑶业盇榉指攴⑸浠保隙的类型也发生变化。即随着石的增加逐渐由直接带隙变为间接带隙的宽度,低温变压强测量可以确定间接带隙料在金组分浠墓絒为..戈,戈材料在薄V苯哟队爰浣哟兜慕訟的最。从公式梢得出R唬。,。.,淖畛さ姆⒐獠ǔ即戈时R蛭5眤时的带隙能量为,所以珿唬。,畛し⒐獠ǔ为。由此可得ǔし