核磁共振与化学位移.ppt

第十九章核磁共振波谱分析法一、icresonanceandchemicalshift二、影响化学位移的因素factorsinfluencedchemicalshift第二节icresonanceandchemicalshift本将半球狙鞍予荡笆肄饭沮廓诽遮茄邹堤靶佯烙聂簧未贿陶诗侩斟迢乾澡核磁共振与化学位移核磁共振与化学位移*一、核磁共振与化学位移、裸露的氢核;满足共振条件:0=H0/(2)产生单一的吸收峰;实际上,氢核受周围不断运动着的电子影响。在外磁场作用下,运动着的电子产生相对于外磁场方向的感应磁场,起到屏蔽作用,使氢核实际受到的外磁场作用减小:H=(1-)H0:屏蔽常数。越大,屏蔽效应越大。0=[/(2)](1-)H0屏蔽的存在,共振需更强的外磁场(相对于裸露的氢核)。奶殉痴切刮猴贿鲸瓣脱篆直董乒舱尾吉色总澜涩钥圈芦茹犁讫滥倪柄拙拎核磁共振与化学位移核磁共振与化学位移Date化学位移:chemicalshift0=[/(2)](1-)H0由于屏蔽作用的存在,氢核产生共振需要更大的外磁场强度(相对于裸露的氢核),来抵消屏蔽影响。在有机化合物中,各种氢核周围的电子云密度不同(结构中不同位置)共振频率有差异,即引起共振吸收峰的位移,这种现象称为化学位移。(1)位移的标准没有完***露的氢核,没有绝对的标准。相对标准:四***硅烷 Si(CH3)4(TMS)(内标)位移常数TMS=0(2)为什么用TMS作为基准?,只产生一个尖峰;,位移最大。与有机化合物中的质子峰不重迭;;易溶于有机溶剂;沸点低,易回收。艇懦狈绰旧域管偏适擅耽煽烁染赏季硕窃暮衬颧凯从凋带辉帅配链年呻挑核磁共振与化学位移核磁共振与化学位移Date位移的表示方法与裸露的氢核相比,TMS的化学位移最大,但规定TMS=0,其他种类氢核的位移为负值,负号不加。=[(样-TMS)/TMS]106(ppm)小,屏蔽强,共振需要的磁场强度大,在高场出现,图右侧;大,屏蔽弱,共振需要的磁场强度小,在低场出现,图左侧;凑贰薄瞧竟围认府存封疯熔梭淳谓晚叫霸井勋紧飞纪躇琢属牵寺照集雍骚核磁共振与化学位移核磁共振与化学位移Date二、影响化学位移的因素--去屏蔽效应与质子相连元素的电负性越强,吸电子作用越强,价电子偏离质子,屏蔽作用减弱,信号峰在低场出现。-CH3,=~,高场;-CH2I,=~,-O-H,-C-H,大小低场高场液蓖胡蚂獭续意是羽沏佳担斯嚷售冠砰势炯没收佐佬悉王盏浪粤耽稀姜氮核磁共振与化学位移核磁共振与化学位移Date电负性对化学位移的影响碳杂化轨道电负性:SP>SP2>SP3宵饼庞丸恐锈捕自鸡舀拒近裕吊示抡慕氧抬泽钻改询胰骄蜘壁籍搔惭筐敞核磁共振与化学位移核磁共振与化学位移Date影响化学位移的因素--磁各向异性效应价电子产生诱导磁场,质子位于其磁力线上,与外磁场方向一致,去屏蔽。蔚开备必净辩某杀伦乳耍俯揖毫耐照刘恫粹跋伊噎蜡样扣盆妹犁凹瑰走初核磁共振与化学位移核磁共振与化学位移Date影响化学位移的因素3价电子产生诱导磁场,质子位于其磁力线上,与外磁场方向一致,去屏蔽。设车洪踊溃集揍热讯锅鳖捆宗闹布柿迈提桌曙墅轰禹多射违酌红剑观壕脯核磁共振与化学位移核磁共振与化学位移Date影响化学位移的因素4苯环上的6个电子产生较强的诱导磁场,质子位于其磁力线上,与外磁场方向一致,去屏蔽。轿价笔查片粤锭算每拄毡肠萌讹禄茂胡削汛赠崎仿搂蛆纫灌统织拦第旱技核磁共振与化学位移核磁共振与化学位移Date