1《电子技术基础》复习题-电子元件模板.doc

1《电子技术基础》复****题-电子元件《电子技术基础》复****题电子元件一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内1、在同一测试条件下,测得三个同型号二极管的参数如下表所示,其中性能最好的一个二极管是()。序号正向电流(正向电压相同)反向电流(反向电压相同)反向击穿电压(a)(b)(c)100mA100mA100mA826200V200V200V2、图中已标出各硅晶体管电极的电位,判断处于截止状态的晶体管是()。3、当晶体管的集电极电流IC超过其最大允许值ICM时,其后果为()。(a)晶体管一定损坏(b)不一定损坏、但要下降(c)不一定损坏、但要升高4、电路如图所示,二极管D的正向压降为,反向工作峰值电压URWM=100V,反向峰值电流IRM=10A,电源US=100V,负载电阻RL=10k,则电压uO为()。(a)V(b)10V(c)V5、测得某一PNP硅管三个极的电位是:VB=,VE=,VC=-7V,则该管工作在()。(a)线性放大状态(b)饱和工作状态(c)截止工作状态6、低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于()。(a) (b) (c)7、PNP型和NPN型晶体管,其发射区和集电区均为同类型半导体(N型或P型)。所以在实际使用中发射极与集电极()。(a)可以调换使用(b)不可以调换使用(c)PNP型可以调换使用,NPN型则不可以调换使用8、电路如图所示,设电压表V的内阻为无穷大,R=10kW,二极管D的型号为2CP10,则V的读数约为()。(a) (b) (c)1V9、电路如图所示,二极管为同一型号的理想元件,电阻R=4k,电位uA=1V,uB=3V,则电位uF等于()。(a)1V (b)3V (c)12V10、电路如图1所示,二极管D为理想元件,ui=6sintV如图2所示,U=3V,则输出电压uO的波形为图3中()。11、电路如图所示,D为硅二极管,根据所给出的电路参数判断该管为()。(a)正偏(b)反偏(c)零偏12、工作在饱和状态的PNP型晶体管,其三个极的电位应为()。(a)VE>VB,VC>VB,VE>VC(b)VE>VB,VC<VB,VE>VC(c)VB>VE,VB<VC,VE>VC二、填空题:1、稳压管电路如图所示,稳压管DZ1的稳定电压UZ1=12V,DZ2的稳定电压为UZ2=6V,则电压UO等于。2、电路如图所示,已知uI=3V,则晶体管T此时工作在状态。3、电路如图所示,二极管为理想元件,=3sintV,U=3V,当=0瞬间,输出电压uO等于。4、电路如图所示,全部二极管均为理想元件,输出电压uO为。5、电路如图所示,设二极管,为理想元件,试计算电路中电流=,=。6、晶体管处于截止状态时,集电结和发射结的偏置情况为发射结,集电结。7、电路如图所示,,D2均为硅管(正向压降),D为锗管(正向压降),U=6V,忽略二极管的反向电流,则流过D1、D2的电流分别为和。8、晶体管的电流放大系数是指。9、已知某晶体管的穿透电流ICEO=,集基反向饱和电流ICBO=4,如要获得mA的集电极电流,则基极电流IB应为。10、电路如图所示,稳压管的稳定电压UZ=6V,电源US=4V,则负载RL两端电压UL为。11、电路如图所示,稳压管DZ正向压降视为零,它的稳定电压为7V,则回路中的电流等于。