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LDMOS与VDMOS比较.doc

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纵向双扩散器件VDMOS(VerticalDouble-diffusedMetalOxideSemiconductor)和横向双扩散器件LDMOS(LateralDouble-diffusedMOSFET)是高压MOS发展过程中的两种主要结构。导通电阻小和版图面积小是VDMOS的主要优点;但由于它是纵向结构,与低压CMOS电路的兼容性较差;为了提升其兼容性,通常在漂移区下面放置一埋层,然后将漏电流传输到硅表面,但同时也带来了缺点:增加了成本,并且工艺也变得复杂,故对兼容性要求较高的高低压集成电路中,VDMOS使用得很少。而作为平面结构的LDMOS与大规模集成电路的兼容性非常好,且工艺简单,易于实现,性能稳定,因此,在高低压兼容的集成电路中得到了广泛的运用,例如LDMOS作为HDTV的PDP显示屏和汽车电子的高压功率放大器件。为了实现高压和大电流,LDMOS版图面积大,芯片成本高,而导通电阻与击穿电压之间的折衷却是其最大的缺点

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LDMOS与VDMOS比较

LDMOS与双极型器件的比较

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LDMOS

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CoolMOS与VDMOS的差异

功率半导体器件(LDMOS VDMOS)

功率半导体器件(ldmos vdmos)

VDmos