场效应晶体管是电压控制型器件 ppt课件.ppt

CMOS集成逻辑门电路★CMOS反相器的电压传输特性★CMOS反相器的输入输出特性★TTL与CMOS集成电路性能比较*。MOS集成逻辑门是由MOS场效应晶体管组成的数字集成电路MOS集成逻辑门在LSI(大规模集成电路)及VLSI(超大规模集成电路)的制作上已经超过TTL,并占据优势。:制作工艺简单,成本低,输入阻抗极高,功耗低,集成度高工作电源允许变化范围大,抗干扰性能较好*场效应晶体管是电压控制型器件与双极性晶体管相比较具有许多优点。*MOS集成逻辑门分P沟道增强(称PMOS)N沟道增强(称NMOS)和互补MOS(称CMOS)三种。PMOS由于开关速度低,电源电压高而且是负电源,不便与TTL集成逻辑门衔接,现以很少用;NMOS克服了PMOS的许多问题,但速度低的问题始终限制了其发展;CMOS充分表现了MOS技术的突出优点,成为LSI及VLSI集成电路的主流产品。*,T2共同组成的互补对称型的场效应管集成电路称为CMOS反相器。P沟道结构的增强型场效应管N沟道结构的增强型场效应管负载管驱动管*输入和输出之间为反相关系,=0V时,uGSN=0V,uGSP=0V,uGSP=-10V输出vO为高电平;uI=10V时,uGSN=10V,输出vO为低电平。00截止导通-1011010导通截止00T2截止T1导通此时T2导通T1截止,**设T1管和T2管的开启电压UGS(th)N=UGS(th)P=UGS(th),VDD≥2UGS(th),控制信号C的高电平为VDD,低电平为0V。:PMOS管PMOS管*和T2管均处于截止状态相当于电路是断开的。(1)当(2)当T1管和T2管均导通,即传输门导通,uo=uIuI可以是0V到VDD的任意电压。结论:当输入信号电压在0-VDD范围内变化时,T1管和T2管至少有一个处于导通状态,输入和输出之间呈低阻态,相当于开关闭合信号得以传输,且uo=uI。传输门不传输信号。因为T1管*,两个互补电路的输入端为与非门的2个输入端。*