02《电子技术基础》单元练习(二)(三极管与场效应管).doc

《电子技术基础》单元练****二)晶体三极管与场效应管一、填空题1、三极管按导电类型可分为和。它属于控制器件,即通过来控制。2、三极管具有作用,应使发射结,集电结。3、晶体三极管的内部特点是和。4、晶体三极管各极电流的分配关系是。5、某晶体三极管的管压降保持不变,基极电流IB=30微安时,IC=,则发射极电流IE=,如果基极电流IB增大到50微安时,IC增加到2毫安,则三极管的电流放大系数β=。6、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。7、三极管的ICEO与ICBO间的关系式为,它们反映了管子的性能,在选用管子时,希望ICEO尽量。8、一般情况下,三极管的电流放大系数随温度的增加而。9、晶体管有、和三种工作状态。10、晶体管的β大小应适当,β太小则,β太大则。11、三极管的三个主要极限参数是、、。12、晶体三极管的反向饱和电流ICBO随温度升高而;穿透电流ICEO随温度升高而;β值随温度升高而。13、场效应管从结构上可分为和;从导电类型上可分为沟道和沟道。场效应管属于控制器件,即通过来控制,它的控制能力用参数来表示。14、场效应管有三个电极,即极,极和极。用字母表示分别为、和。15、场效应管相对于晶体三极管而言最大的特点是高。其中结型场效应管的输入电阻可达,而绝缘栅型场效应管的输入电阻可达。16、绝缘栅型场效应管简称MOS管,M是指,O是指,S是指。17、NMOS管是指,PMOS管是指。18、绝缘栅型场效应管在存放时极不能悬空,一般极和极要短接。二、是非题1、三极管处在放大状态时,C极电位总是高于B极电位,B极电位总是高于E极电位。()2、对于NPN型三极管,当VBE>0,VBE>VCE,则该三极管一定工作在饱和状态。()3、一般来说硅三极管理的穿透电流小于锗三极管的穿透电流,故硅管的热稳性能比锗三极管的热稳性能要好。()4、晶体三极管有发射结和集电结,它相当于两个二极管反向连接,所以我们可以用两个三极管来代替一个三极管。()5、三极管β的越大越好。()6、结型场效应管的D极和S极可以互换使用,三极管的C极和E极却不能互换使用。()三、选择题1、晶体三极管工作在饱和时,它的IC将()A、随IB增加而增加B、随IB增加而减小C、与IB无关,()1ABCD2、当晶体三极管的两个PN结反偏时,则三极管的集电极电流将()A、增大B、反向C、中断3、用万用表测得NPN型三极管各电极对地电位是:VB=,VC=,VE=4V,则该三极管的工作状态是()A、饱和状态B、截止状态C、放大状态4、NPN型三极管处于放大状态时,各极电位关系是()A、VC>VB>VEB、VC<VB<VEC、VC>VE>VB5、3DG6D型三极管的PCM=100mW,ICM=20mA,UBR(CEO)=30V,如果将它接在IC=15mA,UCE=20V的电路中,则该管()A、被击穿B、工作正常C、功耗过大过热甚至烧毁6、测得工作在放大电路中的三极管各电极电位如图所示,其中硅材料的NPN管是()7、放大电路中某三极管的极间电压如图所示,则该管类型及1,2,3极分别是()A、NPN硅管,E、C、B;B、NPN硅管,C、B、E;C、PNP锗管,E、C、B;D、PNP锗管,B、C、E;8、三极管各电极对地电位如图所示,工作于饱和状态的三极管