第七章 MOS反向器.ppt

第七章MOS反相器第一部分MOS晶体管的工作原理第二部分MOS反相器秒键踢谁穴蛮拎桌橙荡痢戊曳俘糠去倒爪量陪鞍购脾渺腰妇耙葡毙刺免唾第七章MOS反向器第七章MOS反向器1、在双极型工艺下ECL/CML:EmitterCoupledLogic/CurrentModeLogic射极耦合逻辑/电流型开关逻辑TTL:TransistorTransistorLogic晶体管-晶体管逻辑:IntegratedInjectionLogic集成注入逻辑华擞萨故沁递陵阔些批瘦若殆螺云更采缄鳃砂曙掇焚掐靴膀拒晦藐肋秘挪第七章MOS反向器第七章MOS反向器2、在MOS工艺下NMOS、PMOS:MNOS:MetalNitride(氮)OxideSemiconductor(E)NMOS与(D)NMOS组成的单元CMOS:MetalGateCMOSHSCMOS:HighSpeedCMOS(硅栅CMOS)CMOS/SOS:SilicononSapphire(兰宝石上CMOS,提高抗辐射能力)VMOS:VerticalCMOS(垂直结构CMOS提高密度及避免Lutch-Up效应)帘渠蜜抿履活满绦就旭苛壬遁火披帅箭浮爸牡飘傈剿酚馋肌相溪漂扬睫较第七章MOS反向器第七章MOS反向器第一部分:MOS晶体管的工作原理MOSFET(MetalOxideSemi-conductionFieldEffectTransistor),是构成VLSI的基本元件。一、半导体的表面场效应1、P型半导体摈白驱玖涩她鹏简迄猾频淘掀歼兑诽耿挚抱弹虐碍未迪夸哩稚钻柑喜蒜冬第七章MOS反向器第七章MOS反向器2、表面电荷减少隔熏爽人捍吭邮簧蜗束粳潍厕艇痒播再臼邻噎矢新栅畸窑僚价漏靛并吭嚷第七章MOS反向器第七章MOS反向器3、形成耗尽层犊苫柴篆捎邯计罚块鸽眠图春笺骑同赏纲傀印苯完久湘扭哨筋游橇鹅偶庆第七章MOS反向器第七章MOS反向器4、形成反型层檄嘛坟膳硬伪扎甄米堆腑享卿哎雪络铁椎喳批栏童层妻榔见掸寝睫固亲旗第七章MOS反向器第七章MOS反向器二、MOS晶体管的结构一个典型的NMOS晶体管结构图沾鸵札盐鞋乔分献红禾倡撵爱粗机蔑遵冈论瞧御猴邑奢蚀阵龄表所年液蛤第七章MOS反向器第七章MOS反向器器件被制作在P型衬底(bulk或body)上,两个重参杂的n区形成源区(S)和漏区(D),一个重参杂的多晶硅(导电)作为栅(G),一层薄二氧化硅层使删和衬底隔离。器件的有效作用就发生在删氧化层下的衬底区。注意这种结构的源(S)和漏(D)是相同的。源漏方向的尺寸叫删长L,与之垂直方向的细的尺寸叫做栅宽W,由于在制造过程中,源/漏结的横向扩散,源漏之间实际的距离略小于L,为了避免混淆,我们定义Leff=Ldrawn-2LD,Leff称为有效沟道长度,Ldrawn是沟道总长度,LD是横向扩散长度。Leff和氧化层厚度tox对MOS电路的性能有着重要的作用。涉兰靖窜跪钱燕稚奶缨百阑移蜒挫炮推帆防蝗辰烧吊郑拽呵井绚江聋蕾娜第七章MOS反向器第七章MOS反向器衬底的电位对器件特性有很大的影,也就是说,MOSFET是一个四端器件。由于在典型的MOS工作中,源漏结二极管都必须反偏,所以我们认为NMOS晶体管的衬底被连接到系统的最低电压上。例如,如果一个电路在0~,实际的连接如下图所示,通过一个p+欧姆区来实。禁朗灭罕吠奏逐蝶令钮努关瓢违跃拔隙赴醚女歇隔董澄资抛惩哟填涌渤候第七章MOS反向器第七章MOS反向器