半导体二极管知识课件.ppt

半导体二极管(SemiconductorDiode) 、基本概念本征半导体—纯净的半导体。如硅、锗单晶体。本征激发—在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子,并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。载流子—自由运动的带电粒子。自由电子(带负电)空穴(带正电)电子空穴成对出现,数量少、与温度有关。两种载流子N型半导体—在本征半导体硅或锗中掺入微量五价元素,如磷、***(杂质)所构成。正离子多数载流子少数载流子电子为多数载流子空穴为少数载流子载流子数电子数P型半导体—在本征半导体硅或锗中掺入微量三价元素,如棚、铟(杂质)所构成。负离子多数载流子少数载流子空穴—多子电子—少子载流子数空穴数电中性二、(PN结),建立内电场空间电荷区特点:无载流子,阻止扩散进行,利于少子的漂移。,形成PN结。扩散电流等于漂移电流,总电流I=0。内建电场载流子在电场作用下的定向运动PN结的形成+UR四、PN结的结电容势垒电容CB:PN中的电荷量随外加电压变化而改变所显示的效应(反偏时显著)。扩散电容CD:多子在扩散过程中积累程度随外加电压变化而改变所显示的效应(正偏时显著)。+UR影响工作频率的原因—PN结的电容效应结论:,因结电容很小,对PN结影响很小。高频时,因容抗增大,使结电容分流,导致单向导电性变差。,工作频率高。:PN结+引线+管壳=二极管(Diode)PN阳极阴极符号:阳(正)极ak阴(负)极分类:按材料分硅二极管锗二极管按用途分普通二极管整流二极管稳压二极管开关二极管按结构工艺分点接触型面接触型平面型点接触型阳极引线触丝N型锗片管壳阴极引线特点:PN结面积小结电容小适于高频、小电流应用:小功率整流高频检波开关电路阴极引线面接触型N型硅PN结阳极引线铝合金小球支架金锑合金特点:PN结面积大结电容小适于低频、大电流(几百毫安以上)应用:整流阳极引线阴极引线集成电路中的平面型PNP型支持衬底常用二极管外形图2CZ542CZ132CZ302AP1N4001+–+–+–+–