电磁兼容之屏蔽.ppt

杨继深 2002年4月第三章电磁屏蔽技术?屏蔽材料的选择?实际屏蔽体的设计杨继深 2002年4月电磁屏蔽屏蔽前的场强E1屏蔽后的场强E2对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB 杨继深 2002年4月实心材料屏蔽效能的计算入射波场强距离吸收损耗AR1R2SE = R1 + R2 + A+B= R+ A+BB杨继深 2002年4月波阻抗的概念波阻抗电场为主E ? 1/ r3 H ? 1 / r2磁场为主H ? 1/ r3 E ? 1/ r2平面波E ? 1/ r H ? 1/ r377?/ 2?到观测点距离rE/H?杨继深 2002年4月吸收损耗的计算t入射电磁波E0剩余电磁波E1E1 = E0e-t/?A = 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ?) ?A = ( t / ?) dBA = t ? f ?r?r dB杨继深 2002年4月趋肤深度举例杨继深 2002年4月反射损耗R = 20 lgZW4 Zs反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越大。ZS = ?10-7? f ?r/?r远场:377?近场:取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变杨继深 2002年4月不同电磁波的反射损耗远场: R = 20 lg3774 Zs4500Zs = 屏蔽体阻抗,D = 屏蔽体到源的距离(m)f = 电磁波的频率(MHz)2 D fD f Zs Zs电场: R = 20 lg磁场: R = 20 lgdB杨继深 2002年4月影响反射损耗的因素150 1k 10k 100k 1M 10M 100M平面波3? 108 / 2?rfR(dB)r = 30 m电场r = 1 m靠近辐射源r = 30 m磁场r = 1 m靠近辐射源杨继深 2002年4月综合屏蔽效能() 1k 10k 100k 1M 10M高频时电磁波种类的影响很小电场波r = m磁场波r = m屏蔽效能(dB)频率