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扩散离子注入.ppt

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扩散离子注入本章主要内容§§§§§§§§§§:金属铝电阻率:掺杂本质:改变硅的电阻率,使其成为有用的半导体。掺杂目的:主要是形成P-:(原子、分子等)普遍的热运动形式,运动的结果是使浓度分布趋于均匀。半导体工艺中,扩散是指将一定数量和一定种类的杂质掺入到硅或其它晶体中,以改变晶体的电学性质,并使掺入的杂质数量和分布情况都满足要求的工艺过程。扩散分为三种即气态、液态和固态。扩散是硅基集成电路的重要工艺之一。(a)间隙式扩散(b)(Fick)第一定律:J为扩散粒子流密度,定义为单位时间通过单位面积的粒子数,D为扩散系数,是表征杂质扩散快慢的系数,N是扩散粒子的浓度。非克第一定律表达了扩散的本质即温度越高,浓度差越大,扩散就越快。

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