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芯片制造过程4/17/2012,光纤在线讯:近日我们搜寻到芯片制作全过程,在此与大家一起分享!芯片制造过程可概分为晶圆处理工序(WaferFabrication)、晶圆针测工序(WaferProbe)、构装工序(Packaging)、测试工序(InitialTestandFinalTest)等几个步骤。其中晶圆处理工序与晶圆针测工序为前段(FrontEnd)工序,而构装工序、测试工序为后段(BackEnd)工序。1、晶圆处理工序:本工序主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类与所使用技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个小格,即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格产品;但也可根据需要制作几种不同品种、规格产品。在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独晶粒,再按其电气特性分类,装入不同托盘中,不合格晶粒则舍弃。3、构装工序:就是将单个晶粒固定在塑胶或陶瓷制芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出一些引接线端与基座底部伸出插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死。其目是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到那些黑色或褐色,两边或四边带有许多插脚或引线矩形小块)。4、测试工序:芯片制造最后一道工序为测试,其又可分为一般测试与特殊测试,前者是将封装后芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后芯片,依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求技术参数,从相近参数规格、品种中拿出部分芯片,做有针对性专门测试,看是否能满足客户特殊需求,以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格产品贴上规格、型号及出厂日期等标识标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试芯片则视其达到参数情况定作降级品或废品。制造芯片基本原料制造芯片基本原料:硅、金属材料(铝主要金属材料,,同时由于铜导体电阻更低,其上电流通过速度也更快)、化学原料等。芯片制造准备阶段在必备原材料采集工作完毕之后,这些原材料中一部分需要进行一些预处理工作。作为最主要原料,硅处理工作至关重要。首先,硅原料要进行化学提纯,这一步骤使其达到可供半导体工业使用原料级别。为了使这些硅原料能够满足集成电路制造加工需要,还必须将其整形,这一步是通过溶化硅原料,然后将液态硅注入大型高温石英容器来完成。而后,将原料进行高温溶化为了达到高性能处理器要求,整块硅原料必须高度纯净,及单晶硅。然后从高温容器中采用旋转拉伸方式将硅原料取出,此时一个圆柱体硅锭就产生了。从目前所使用工艺来看,硅锭圆形横截面直径为200毫米。在保留硅锭各种特性不变情况下增加横截面面积是具有相当难度,不过只要企业肯投入大批资金来研究,还是可以实现。intel为研制与生产300毫米硅锭建立工厂耗费了大约35亿美元,新技术成功使得intel可以制造复杂程度更高,功能更强大集成