IC制造流程简介,其指四价硅中添加三价或五价化学元素而形成的电子元件,它有方向性可以用来制造逻辑线路使电路具有处理资讯的功能。半导体的传导率可由搀杂物的浓度来控制:搀杂物的浓度越高,半导体的电阻系数就越底。P型半导体中的多数载体是电洞。硼是P型的掺杂物。N型半导体的多数载体是电子。磷,***,锑是N型的搀杂物。。:逻辑LOGIC及记忆体MEMORY。ESSMEMORY等。集成电路的生产主要分三个阶段:硅镜片WAFER的制造,,CVDWaferCleaningPhotolithographyEtch(DryorWet)(Wafer)晶棒成長切片(Slicing)研磨(Lapping)清洗(Cleaning)拋光(Polishing)檢查(Inspection)(a)Seedbeinglowereddowntomelt(b)Seeddippedinmeltfreezingonseedjustbeginning(b)PartiallygrowncrystalTheCzochralskiMethod-19.(a)As-growncrystal(b)Grindcrystaltoremoveundulationsandsawtoremoveportionsinresistiverange(c)Sawintoslices(withorientingflatsgroundbeforesawing)(d)Roundedgesofslicebygrinding(e)PolishsliceCrystaltoWafe10.
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