1/42
文档分类:研究报告

扩散工艺(Diffusion Process).ppt


下载后只包含 1 个 PPT 格式的文档,里面的视频和音频不保证可以播放,查看文件列表

特别说明:文档预览什么样,下载就是什么样。

0/100
您的浏览器不支持进度条
下载所得到的文件列表
扩散工艺(Diffusion Process).ppt
文档介绍:
扩散工艺(DiffusionProcess)■概述■扩散工艺和设备■扩散工艺流程■实际扩散分布的分析■扩散工艺质量检测扩散工艺(Diffusionprocess)1)扩散运动:物质的随机热运动,趋向于降低其浓度梯度;即存在一个从高浓度区向低浓度区的净移动。2)扩散工艺:利用杂质的扩散运动,将所需要的杂质掺入硅衬底中,并使其具有特定的浓度分布。3)研究杂质在硅中的扩散运动规律的目的:扩散运动与扩散工艺■开发合适的扩散工艺,预测和控制杂质浓度分布。■研究IC制造过程中其他工艺步骤引入的扩散过程对杂质分布和器件电特性的影响。3)形成MOSFET中的漏区和源区扩散工艺在IC制造中的主要用途:1)形成硅中的扩散层电阻2)形成双极型晶体管的基区和发射区(1)气态源:AsH3,PH3,B2H6(2)固态源:扩散工艺和设备1、目前的扩散工艺已基本被离子注入取代,只有在进行重掺杂时还用扩散工艺进行。2、扩散工艺的分类主要取决于杂质源的形态,常见的杂质源形态包括:单磷酸铵(NH4H2PO4)***酸铝(AlAsO4)硼源:BBr3(沸点90℃)磷源:POCl3(沸点107℃)(3)液态源■防止引入污染■工艺参数控制:温度分布、气流量和排片方式、片间距等3、扩散设备类似于氧化炉管。4、扩散工艺的控制要点:如何选择扩散源:1)半导体材料的导电类型需要;2)选择在硅中具有适当的扩散速度的杂质;3)选择纯度高、毒性小的扩散源。常用的扩散杂质有硼(B),磷(P)、锑(Sb)、***(As)。扩散杂质源(含有这些杂质原子的某些物质)有固态源、液态源和气态源。第二步:推进扩散扩散工艺(1)先进行恒定表面源的预淀积扩散(温度低,时间短),扩散很浅,目的是控制进入硅片的杂质总量;(2)以预扩散杂质分布作为掺杂源再进行有限表面源的推进扩散,又称主扩散,通过控制扩散温度和时间以获得预期的表面浓度和结深(分布)。为获得足够浅的预淀积分布,也可改用离子注入方法取代预扩散步骤。第一步:预淀积扩散“预淀积扩散”+“推进扩散”的两步扩散法整个扩散工艺过程清洗硅片预淀积测试开启扩散炉推进、激活 内容来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.