23逻辑门电路 (2)讲义教材.ppt

23逻辑门电路 (2)讲义教材.ppt第三章逻辑门电路1第三章逻辑门电路§§§§§§(1)加正向电压VF时,二极管导通,管压降VD可忽略。二极管相当于一个闭合的开关。一、,电流的波形怎样呢?ts为存储时间,tt称为渡越时间,tre=ts十tt称为反向恢复时间。5反向恢复时间:tre=ts十tt产生反向恢复过程的原因:反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。同理,二极管从截止转为正向导通也需要时间,这段时间称为开通时间。开通时间比反向恢复时间要小得多,一般可以忽略不计。6二、(1)截止状态:当VI小于三极管发射结死区电压时,IB=ICBO≈0,IC=ICEO≈0,VCE≈VCC,三极管工作在截止区,(b)中的A点。三极管工作在截止状态的条件为:发射结反偏或小于死区电压7此时,若调节Rb↓,则IB↑,IC↑,VCE↓,工作点沿着负载线由A点→B点→C点→D点向上移动。在此期间,三极管工作在放大区,其特点为IC=βIB。三极管工作在放大状态的条件为:发射结正偏,集电结反偏(2)放大状态:当VI为正值且大于死区电压时,三极管导通。有8(3)饱和状态:保持VI不变,继续减小Rb,当VCE=,集电结变为零偏,称为临界饱和状态,对应图(b)中的E点。此时的集电极电流称为集电极饱和电流,用ICS表示,基极电流称为基极临界饱和电流,用IBS表示,有:9若再减小Rb,IB会继续增加,/RC,不会再增加,三极管进入饱和状态。饱和时的VCE电压称为饱和压降VCES,其典型值为:VCES≈。三极管工作在饱和状态的电流条件为:IB>IBS电压条件为:集电结和发射结均正偏10