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硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation教学幻灯片.ppt

文档分类：汽车/机械/制造 | 页数：约35页举报非法文档有奖

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硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation教学幻灯片.ppt(IonImplantation)离子注入掺杂的优、缺点1两种碰撞(阻止)模型2注入离子的分布(沟道效应)3注入损伤及其消除(热退火)45离子注入系统天津工业大学离子注入的优点:掺杂纯度高,污染小;掺杂的均匀性和重复性好;工作温度低,工艺灵活性大;掺杂深度和掺杂浓度可精确独立地控制;最大掺杂浓度不受固溶度限制;低温工艺避免高温引起的热缺陷;离子注入直进性,横向效应小;掩蔽膜作为保护膜,污染小;适合化合物掺杂;可发展成无掩膜的离子束技术。天津工业大学Self-alignment(自对准掺杂)天津工业大学§(核阻止)和晶格原子的原子核发生碰撞发生明显的散射造成大量晶格损伤Sn(E)=(dE/dx)n电子碰撞(电子阻止)和晶格原子的电子发生碰撞注入离子的路径基本不发生变化能量转移很小造成的晶格损伤很小Se(E)=(dE/dx)eLSS理论:S=Sn+Se天津工业大学天津工业大学核阻止本领和电子阻止本领曲线能量较低,质量较大的离子,主要是通过核阻止损失能量能量较高,质量较小的离子,主要是通过电子阻止损失能量天津工业大学§、投影射程、平均投影射程天津工业大学常见杂质在硅中的平均射程天津工业大学沟道效应(ChannelingEffect)天津工业大学

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