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简介半导体二极管知识课件.ppt第二节半导体二极管PN结及其单向导电性二极管的伏安特性二极管的主要参数稳压管总目录下页-++++++++++++------------++++++++++++-----------空间电荷区内电场UD又称耗尽层,即PN结。最终扩散(diffusion)运动与漂移(drift)运动达到动态平衡,PN结中总电流为零。内电场又称阻挡层,阻止扩散运动,却有利于漂移运动。硅约为(~)V锗约为(~)V一、PN结及其单向导电性扩散漂移下页上页首页复合NP-++++++++++++-----------RV正向电流外电场削弱了内电场有利于扩散运动,不利于漂移运动。+-U耗尽层内电场UD-U外电场I称为正向接法或正向偏置(简称正偏,forwardbias)PN结处于正向导通(on)状态,正向等效电阻较小。下页上页首页二、二极管的伏安特性阳极从P区引出,阴极从N区引出。:硅二极管和锗二极管。从管子的结构分:对应N区对应P区点接触型二极管,工作电流小,可在高频下工作,适用于检波和小功率的整流电路。面接触型二极管,工作电流大,只能在较低频率下工作,可用于整流。开关型二极管,在数字电路中作为开关管。二极管的符号阳极anode阴极cathode下页上页首页302010I/mAUD/-I/μАO正向特性死区电压IsUBR反向特性+-,二极管导通,电流与电压关系近似指数关系。.1V左右死区电压:导通压降:正向特性下页上页首页反偏时,反向电流值很小,反向电阻很大,反向电压超过UBR则被击穿。IS反向特性UBR结论:二极管具有单向导电性,正向导通,反向截止。二极管方程:反向饱和电流反向击穿电压若|U|>>UT则I≈-IS式中:IS为反向饱和电流UT是温度电压当量,常温下UT近似为26mV。反向特性-2-4-I/μAI/mAU/V-20-100若U/UT>>1则下页上页首页三、二极管的主要参数最大整流电流IF指二极管长期运行时,允许通过管子的最大正向平均电流。IF的数值是由二极管允许的温升所限定。最高反向工作电压UR工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值,否则二极管可能被击穿。为了留有余地,通常将击穿电压UBR的一半定为UR。室温条件下,在二极管两端加上规定的反向电压时,流过管子的反向电流。通常希望IR值愈小愈好。IR受温度的影响很大。最高工作频率fMfM值主要决定于PN结结电容的大小。结电容愈大,则二极管允许的最高工作频率愈低。反向电流IR