半导体产业迎来机遇，国产dram商业化提速.docx

内容目录一、国产DRAM商业化提速 3二、国产化步入深水区,半导体后续补库可期 4三、国产芯片生态圈日趋完善 8四、半导体配套服务链能力显著提升 9五、投资建议 14六、风险提示 14图表目录图表1:长鑫DDR4内存芯片实现与国际主流DRAM产品同步 3图表2:江波龙存储品牌FORESEE搭载长鑫存储颗粒 3图表3:合肥长鑫重要时间节点 4图表4:长鑫DRAM技术路线图 4图表5:关联交易类别及预计金额 4图表6:电子细分板块与其他申万一级行业Q1收入增速情况 5图表7:A股电子各细分板块营收增速情况 6图表8:全球半导体库存周转天数 7图表9:PCOEM厂商库存周转天数 7图表10:分销厂商库存周转天数 7图表11:国产替代IC设计全景图 8图表12:国产替代空间测算 9图表13:国产半导体供应服务链 10图表14:中芯国际与台积电量产制程代际差 10图表15:晶圆厂制程升级规划 11图表16:公司产业链垂直整合布局 12图表17:全球封测企业市占率 12图表18:国内晶圆厂投资规模(亿元) 13图表19:国产设备替代进程 13图表20:全球半导体材料销售额分布 14一、国产DRAM商业化提速从量产到多存储品牌导入,合肥长鑫引领DRAM国产化稳步推进。2019年9月合肥长鑫自主研发的基于19nm工艺制造的8GbDDR4芯片正式量产,实现了国产DRAM与国际主流产品同步的突破。量产之后,国产DRAM产品商业化进程启动提速。长鑫存储内存芯片,以10纳米技术等级所制造的8GbDDR4内存颗粒,经过多次优化将制程工艺提升至国际主流水平,并符合JEDEC设计生产规范和RoHS环保标准。光威、江波龙、威刚科技先后导入。第一款搭载长鑫存储19nmDDR4颗粒的内存条光威弈Pro于2020年2月上市,江波龙嵌入式存储品牌FORESEE紧随其后推出3款国产化内存——DDR4SODIMM8GB、DDR4UDIMM8GB、DDR4UDIMM16GB,核心DRAM均采用长鑫存储颗粒,且已通过江波龙EVT完整的颗粒级测试,标志国产存储颗粒在品质上已具备参与市场竞争的实力;近日,长鑫19nm8GbDDR4内存颗粒实现对内存品牌威刚科技的导入,威刚科技将针对长鑫内存颗粒进行一系列兼容性测试,筛选后的内存芯片将具有超频潜力,两强合作能有效整合资源,使国产化内存方案完美兼容于目前市面上的各式台式机与笔记本计算机。图表1:长鑫DDR4内存芯片实现与国际主流DRAM产品同步 图表2:江波龙存储品牌FORESEE搭载长鑫存储颗粒资料来源:长鑫官网, 资料来源:半导体行业观察,搭载合肥长鑫颗粒的内存条陆续面世,长鑫对应产能规划有序推进,第一期满载产能12万片。合肥长鑫12寸晶圆厂分为三期,第一期满载产能为12万片,预计分为三个阶段执行。2020年第一季底按规划达到4万片,这4万片都将是19nm工艺芯片。长鑫新DRAM技术路线图彰显国产存储野心,预计2021年推进17nm技术平台。合肥长鑫第一代存储技术为19nm的8GbDDR4芯片,根据合肥长鑫技术路线图,公司已将第二代10nm级(17nm)技术纳入计划中,并且将导入HKMG技术,使得芯片更轻薄、体积更小。同时DDR5也出现在下一期规划当中。图表3:合肥长鑫重要时间节点 图表4:长鑫DRAM技术路线图资料来源:公司公告, 资料来源:公司官网,2020年3月26日,兆易创新与合肥长鑫一系列关联交易框架协议落地加码DRAM设计研发,双方合作有望进一步加深,为DRAM国产化保驾护航。此次拟签订的《框架采购协议》、《代工服务协议》及《产品联合开发平台合作协议》三重日常交易框架协议,将有望推动双方在DRAM产品销售、代工及工程端的紧密合作。图表5:关联交易类别及预计金额资料来源:兆易创新公告,合肥长鑫作为国内DRAM产业发展的急先锋,在打开存储产业国产替代局面中具有至关重要的战略意义和不可替代的产业价值。上游半导体设备及材料产业将有望在国内存储产业崛起的带动下实现加速发展。二、国产化步入深水区,半导体后续补库可期国内板块收入增速比较来看,我们将电子九大细分板块(IC设计、IDM&foundry、封测、设备、材料、PCB、消费电子、安防、面板)与其他申万一级行业进行比较,可以发现IDM&foundry(67%)、芯片设计(27%)、封测(23%)、材料(22%)、设备(%)、消费电子(%)、PCB(6%)均取得正增长,相较其他一级行业增速大幅领先。图表6:电子细分板块与其他申万一级行业Q1收入增速情况资料来源:wind,从逐季度环比变动趋势来看,IC设计、封测、IDM&Foundry、设备与材料板块出现了明显的环比改善,其中IC设计板块增速从19Q2起换挡提升最为明显,IDM&Foundry受闻泰科技单一标的影响较大