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半导体材料半导体材料摘要:二十一世纪,半导体材料及其应用已经成为衡量一个国家经济发展,科技进步和国防实力的重要标志,半导体产品广泛用于生活生产之中。本文对半导体材料的特性性能,分类应用,制备方法和发展方向作出简要解析。关键词:半导体材料硅材料半导体半导体特性制备半导体材料是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质,是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料,其电导率在10(U-3)~10(U-9)欧姆/厘米范围内。制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求,包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性,称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别,而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有:禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。正是由于半导体材料的各种各样的特性使得半导体材料拥有多种多样的用途,在科技发展和人们的生活中起到十分重要的作用。一半导体材料的分类半导体材料可按化学组成来分,再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。还包括固溶体半导体,超晶格半导体等,不同的分类方法有着不同的划分不同的半导体材料拥有着独自的特点,在他们使用的领域都起着重要的作用。,对分支或原子数源和衬底温度加以精密控制的薄膜蒸发技术。MBE生长过程实际上是一个具有热力学和动力学同时并存,相互关联的系统。只有在由分子数源产生的分子束不受碰撞地直接喷射到受热的洁净衬底表面,在表面上迁徙,吸附或通过反射或脱附过程离开表面,而在衬底表面与气态分子之间建立一个准平衡区,是晶体生长过程接近于热力学平衡条件,即使每一个结合到晶格中的原子能选择到一个自由能最低的格点位置,才能生长出高质量的材料。,通过热分解反应而最终在其上生长出外延层的技术。,进而结合高空间分辨电子束曝光直写,湿法或干法刻蚀和聚焦离子束注入隔离制备纳米量子线和量子点,即常说的所谓自上而下的制备技术。,它主要用于描述具有较大晶格失调而界面能较小的一支结构材料生长行为。三半导体材料的发展历程与应用近年来,基于低维半导体结构材料(即半导体量子结构材料)的量子力学效应(如量子尺寸效应,量子隧穿,量子干涉,库伦阻塞和非线性光学效应等)的纳米电子学,光电子学,量子计算和量子通信以及光计算,生物计算等。低维半导体包括二维晶格,量子阱材料,一维量子线和零维量子点材料。半导体材料从发现到发展,从使用到创新,拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初,就曾出现过点接触矿石检波器。1930年,氧化亚铜整流器制造成功并得到广