模拟电路第四版课后答案(康华光版本).doc

第二章2、4、1电路如图题2、4、1所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路得ID与Vo得值;(2)在室温(300K)得情况下,利用二极管得小信号模型求vo得变化范围。解(1)求二极管得电流与电压(2)求vo得变化范围图题2、4、1得小信号模型等效电路如图解2、4、l所示,温度T=300K。当rd1=rd2=rd时,则得变化范围为,即1、406V~1、394V。2、4、3二极管电路如图2、4、3所示,试判断图中得二极管就是导通还就是截止,并求出AO两端电压VAO。设二极管就是理想得。解图a:将D断开,以O点为电位参考点,D得阳极电位为-6V,阴极电位为-12V,故D处于正向偏置而导通,VAO=–6V。图b:D得阳极电位为-15V,阴极电位为-12V,D对被反向偏置而截止,VAO=-12V。图c:对D1有阳极电位为0V,阴极电位为-12V,故D1导通,此后使D2得阴极电位为0V,而其阳极为-15V,故D2反偏截止,VAO=0V。图d:对D1有阳极电位为12V,阴极电位为0V,对D2有阳极电位为12V,阴极电位为-,此后使VA=-6V;D1反偏而截止,故VAO=-6V。2、4、4试判断图题2、4、4中二极管就是导通还就是截止,为什么?解图a:将D断开,以“地”为电位参考点,这时有 D被反偏而截止。图b:将D断开,以“地”为参考点,有 D被反偏而截止。图c:将D断开,以“地”为参考点,有 D被正偏而导通。2、4、7电路如图题2、4、7所示,D1,D2为硅二极管,当vi=6sinωtV时,试用恒压降模型与折线模型(Vth=0、5V,rD=200Ω)分析输出电压vo得波形。解(1)恒压降等效电路法当0<|Vi|<0、7V时,D1、D2均截止,vo=vi;当vi≥0、7V时;D1导通,D2截止,vo=7V;当vi≤0、7V时,D2导通,D1截止,vo=-。vi与vo波形如图解2、4、7a所示。(2)折线等效电路如图解2、4、7b所示,图中Vth=,rD=200Ω。当0<|Vi|<,D1,D2均截止,vo=vi;vi≥,D1导通,D2截止。vi≤-0、5V时,D2导通,D1截止。因此,当vi≥,vi≤-0、5V时,可求出类似结果。。2、4、,设输入电压vI(t)波形如图b所示,在0<t<5ms得时间间隔内,试绘出vo(t)得波形,设二极管就是理想得。解vI(t)<6V时,D截止,vo(t)=6V;vI(t)≥6V时,D导通2、4、,设二极管就是理想得。(a)画出它得传输特性;(b)若输入电压vI=vi=20sinωtV,试根据传输特性绘出一周期得输出电压vo得波形。解(a)画传输特性0<vI<12V时,D1,D2均截止,vo=vI;vI≥12V时,D1导通,D2截止-10V<vI<0时,D1,D2均截止,vo=vI;vI≤-10V时,D2导通,。(b)当vo=vI=20sinωtV时,。2、5、,假设它们得参数V2与正向特性得Vth、rD为已知。试绘出它得传输特性。解当|vI|<(Vz+Vth)时,Dzl、DZ2均截止,vo=vI;|vI|≥(Vz+Vth)时,Dzl、。第三章3、1、1测得某放大电路中BJT得三个电极A、B、C得对地电位分别为VA=-9V,VB=一6V,Vc=,试分析A、B、C中哪个就是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT就是NPN管还就是PNP管。解由于锗BJT得|VBE|≈0、2V,硅BJT得|VBE|≈,已知用BJT得电极B得VB=一6V,电极C得Vc=–,电极A得VA=-9V,故电极A就是集电极。又根据BJT工作在放大区时,必须保证发射结正偏、集电结反偏得条件可知,电极B就是发射极,电极C就是基极,且此BJT为PNP管。3、2、。并简述理由。(设各电容得容抗可忽略)。因Rb=0,一方面使发射结所加电压太高,易烧坏管子;另一方面使输人信号vi被短路。,电路偏置正常,且交流信号能够传输。,因电容Cbl隔断了基极得直流通路。,得极性接反。3、3、2测量某硅BJT各电极对地得电压值如下,试判别管子工作在什么区域。(a)VC=6VVB=0、7VVE=0V(b)VC=6VVB=2VVE=1、3V(