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高真空磁控溅射仪技术参数.doc

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高真空磁控溅射仪技术参数用途该系统适用于实验室制备金属单质、氧化物、介电质、半导体膜、电极材料等。: 0-40℃;: 20-50%;:380V(AC),50Hz。,选用优质不锈钢,牌号不低于304★:★:抽速不小于1300L/s;包含可控蝶阀★≤8x10-6Pa(经烘烤除气后)≤5x10-★≤★测试范围:10-9mbar至1000mbar精度:不超过±30%可重复性:不超过±5%反应时间:P>10-6mbar::10-2Pa至102Pa精度:%分辨率:%压强最大:260KPa反应时间:不超过30毫秒温度效应:在满量程:%读值/℃,含一个强磁靶。靶大小为60mm或3英寸,各靶可独立/顺次/共同工作,电源和靶可自动切换,★功率输出:单输出0~500W,最大可输出到500W输出电流:0~1A模式:功率调节、电流调节或电压调节显示精度:%,或小于最大输出值的2%★全自动匹配射频溅射电源1套(包括600w射频电源、1000VA匹配器、射频电缆、数据电缆)频率:,误差不超过±%最大输出功率(W):600W,50Ohm负载最小输出功率(W):6W,50Ohm负载反射功率极限(W):小于200W射频输出接头:N-type(fem.)最低启辉气压:10-5Pa射频匹配器最大工作功率:1000W射频匹配器阻抗调节范围:-j220到+:室温~500°C,精度:±3°C;样品台可加负偏压-200V;★

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