电磁炉工作原理及电磁炉电路图分析资料报告.doc

电磁炉工作原理及电磁炉电路图分析电磁炉工作原理及电磁炉电路图分析(一)。在电磁灶部,由整流电路将50/60Hz的交流电压变成直流电压,再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz的高频电压,高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场,当磁场的磁力线通过金属器皿(导磁又导电材料)底部金属体产生无数的小涡流,使器皿本身自行高速发热,然后再加热器皿的东西。二、,当电压比较器输入端电压正向时(+输入端电压高于-入输端电压),置于LM339部控制输出端的三极管截止,此时输出端相当于开路;当电压比较器输入端电压反向时(-输入端电压高于+输入端电压),置于LM339部控制输出端的三极管导通,将比较器外部接入输出端的电压拉低,此时输出端为0V。(IusulatedGateBipolarTransistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极(见上图),分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。从IGBT的下述特点中可看出,它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷,就是于高压大电流工作时,导通电阻大,器件发热严重,输出效率下降。IGBT的特点:,是MOSFET的数十倍。,栅驱动功率极小,驱动电路简单。。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。,安全工作区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。,关断时间短,耐压1kV~、,约为GTR的10%,接近于功率MOSFET,开关频率直达100KHz,开关损耗仅为GTR的30%。IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体,是极佳的高速高压半导体功率器件。目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:(1)SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套10A/1200/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。(2)SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。(3)GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A,部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120,代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(4)GT40T1