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半导体专业词汇1、acceptancetesting(WAT:wafer acceptancetesting)2、acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子3、 ACCESS:一个EDA(EngineeringDataAnalysis)系统 4、Acid:酸5、Activedevice:有源器件,如MOSFET(非线性,可以对信号放大)6、Alignmark(key):对位标记 7、Alloy:合金8、Aluminum:铝 9、Ammonia:氨水 10、Ammoniumfluoride:NH4F 11、 Ammoniumhydroxide:NH4OH12、Amorphoussilicon:α-Si,非晶硅(不就是多晶硅) 13、Analog:模拟得 14、Angstrom:A(1E-10m)埃15、Anisotropic:各向异性(如POLYETCH) 16、AQL(Acceptance QualityLevel):接受质量标准,在一定采样下,可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后得失效率) 17、ARC(Antireflectivecoating):抗反射层(用于METAL等层得光刻)18、Antimony(Sb)锑19、Argon(Ar)氩20、 Arsenic(As)***21、Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二***22、Arsine(AsH3)23、Asher:去胶机 24、Aspect ration:形貌比(ETCH中得深度、宽度比)25、 Autodoping:自搀杂(外延时SUB得浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层)26、Backend:后段(CONTACT以后、PCM测试前) 27、 Baseline:标准流程 28、 Benchmark:基准 29、Bipolar:双极30、Boat:扩散用(石英)舟31、CD: (CriticalDimension)临界(关键),、Characterwindow:特征窗口。用文字或数字描述得包含工艺所有特性得一个方形区域。33、Chemical-mechanical polish(CMP):化学机械抛光法。、Chemicalvapordeposition(CVD):化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜得工艺。 35、 Chip:、 CIM:puter-、Circuit design:电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能得技术。38、Cleanroom:一种在温度,湿度与洁净度方面都需要满足某些特殊要求得特定区域。39、pensation doping:补偿掺杂。、 CMOS:plementarymetaloxide semiconductor得缩写。一种将PMOS与NMOS在同一个硅衬底上混合制造得工艺。41、 puter—aideddesign(CAD):计算机辅助设计。42、Conductivitytype:传导类型,由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子就是电子,在P型材料中多数载流子就是空穴。43、Contact:孔。在工艺中通常指孔1,即连接铝与硅得孔。44、 Controlchart:. 45、Correlation:相关性。46、 Cp:工艺能力,详见processcapability。47、Cpk:工艺能力指数,详见processcapabilityindex。48、 Cycletime:圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要得时间。通常用来衡量流通速度得快慢。49、Damage:损伤。对于单晶体来说,有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复得变形也可以叫做损伤。50、Defectdensity:缺陷密度。单位面积内得缺陷数。51、Depletionimplant:。(耗尽晶体管指在栅压为零得情况下有电流流过得晶体管.)52、 Depletion layer:耗尽层。、 Depletion width:耗尽宽度。53中提到得耗尽层这个区域得宽度。 54、Deposition:淀积。一种在圆片上淀积一定厚度得且不与下面层次发生化学反应得薄膜得一种方法。55、Depthoffocus(DOF):焦深。 56、 designofexperiments(DOE):为了达到费