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第四章双极结型三极管及放大电路基础.§(BJT)§§§§§§§(BJT):较薄,掺杂浓度低集电区:面积较大发射区:/8/+基区空穴向发射区的扩散形成IEP。IBN进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBN,多数扩散到集电结。发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IEN。=IEN+IEP≈IENIEP从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,。ICN集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIB=IEP+IBN-ICBOIC=ICN+=IEN-IBNIB=IEP+IEN-ICN-ICBO=IE-IC前提条件:/8/5晶体管的三种基本接法(a)共发射极;(b)共集电极;(c),.3BJT的V-I特性曲线测试线路iCmAVBBBJT的V--

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