高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层上.doc

“半导体技术”2008年第一期趋势与展望1-高k材料用作纳米级MOs晶体管栅介质薄层(上)翁妍,汪辉技术专栏(电路设计技术)6-显示控制CMOS锁相环频率合成器设计张涛,邹雪城,沈绪榜11-高速低功耗钟控比较器的设计李亮,减佳锋,徐振,等15-基于TCAD软件的单层多晶EEPROM器件模拟分析邓勇,宣晓峰,许高斌,等19-低功耗高动态范围CMOS图像传感器的设计朱青云,卢结成,张小波,等22-宽调节范围的二级压控振荡器倪丹,戴庆元,叶君青,等25-基于MC68HC908RF2的无线温度传感器杜吉龙30-用于时钟芯片的Pierce晶体振荡器设计刘惩,李冰35-适用于半速率CDR改进型VCO的设计与实现唐世民,何小威,陈吉华,等39-基于宏模型的同步开关噪声仿真分析蒋历国,施国勇42-基准电流源的小信号分析与设计冯春涛,冯全源,王错现代管理46-半导体测试调度研究张智聪,郑力,张涛器件制造与应用51-SiGeHBT低频噪声PSPICE模拟分析沙永萍,张万荣56-逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结2DEG特性的影响李若凡,武一宾,马永强,等59-表面处理与离子注人对GaNHEMT肖特基特性的影响宋建博,杨瑞霞,张志国,等62-5WSi衬底GaN基HEMT研究刘晨晖,冯震,王勇,等65-槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管杨涛,刘肃,李思渊,等工艺技术与材料68-VDSM集成电路互连特性及RC延迟研究邝嘉,黄河73-磁控溅射的TaN薄膜的扩散阻挡性能张丛春,刘兴刚,石金川,等77-退火温度对Cu膜微结构与电阻率的影响雏向东,赵海阔,吴学勇封装、测试与设备80-QPSK非平衡性调制技术赵夕彬83-可重构的低温共烧陶瓷电容高频等效电路模型李小珍,邢孟江,朱樟明,等86-塑封双极型功率晶体管的失效与案例分析霍玉杰,陈颖,谢劲松趋势与展望1—高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(上)翁妍,汪辉(上海交通大学微电子学院,上海200030)摘要:随着45nm和32nm技术节点的来临,传统的SiO2作为栅介质薄膜材料的厚度需缩小到1nm之下,材料的绝缘性、可靠性等受到了极大的挑战,已不能满足技术发展的要求。高k材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的不错选择,但是大多数高k材料是离子金属氧化物,其基本物理和材料特性导致产生很多不可靠因素。从高k材料的基本物理和材料特性角度,回顾了高k材料代替SiO2用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层时产生的主要不可靠因素及根本原因。关键词:栅介质薄层;高介电常数;可靠性技术专栏(电路设计技术)6—显示控制CMOS锁相环频率合成器设计张涛1,邹雪城2,沈绪榜3(,武汉430081;,武汉430074;,西安710054)摘要:从工程的角度出发,设计了一个应用于显示控制芯片的新颖实用的CMOS锁相环频率合成器。详细论述了系统设计的关键问题,研究了电荷泵充放电电流匹配、精度和输出电压等工程设计问题,并对环路滤波器的计算和仿真以及压控振荡器的噪声性能进行了研究。,仿真结果表明锁相环频率合成器设计的正确性。关键词:锁相环;频率合成器;鉴频鉴相器;电荷泵;压控振荡器11—高速低功耗钟控比较器的设计李亮1,臧佳锋1,徐振3,韩郑生2,钟传杰1(,江苏无锡214000;,北京100029;,江苏无锡214000)摘要:在分析各种比较器的基础上,设计了一种高速低功耗的钟控比较器,着重优化了比较器的速度和功耗。,采用CadenceSpectre对电路进行了模拟。结果表明,比较器的最高工作频率为200MHz,,,。关键词:钟控比较器;失调电压;正反馈;差分放大器15—基于TCAD软件的单层多晶EEPROM器件模拟分析邓勇,宣晓峰,许高斌,杨明武(合肥工业大学理学院,合肥230009)摘要:利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单元结构进行等效模拟。通过编程模拟了单层多晶EEPROM器件性能,模拟分析得到的特性曲线与理论曲线能较好吻合,验证了等效模型方案的可行性。关键词:单层多晶EEPROM;TCAD软件;等效模型;器件模拟19—低功耗高动态范围CMOS图像传感器的设计朱青云,卢结成,张小