微电子器件复习提纲.doc

微电子器件期末复****提纲(I)考试题型:填空题(20分),PN结大题(20分),双极晶体管大题(36分),MOSFET大题(24分)。2、3、4各章分数比例为26:44:30。(II)第2章PN结部分复****重点利用泊松方程推导电场分布函数以及分布图,耗尽区宽度;推导自PN结空间电荷区以及自建电场的形成原因;建电势的表达式(不止一种方法,自己总结);平衡、正偏和反偏状态下PN结的能带图,准费米能级变化趋势;正向电压下PN结的电流成分,电子和空穴扩散电流的表达式;反向饱和电流(公式,物理意义,影响因素);正偏和反偏状态下PN结中性区少子分布曲线以及边界条件;薄基区二极管的定义,各区少子分布函数以及分布曲线;大注入和小注入的含义,大注入自建电场产生的原因;PN结的几种击穿方式(击穿条件,物理过程,温度系数),提高击穿电压的方式;势垒电容和扩散电容产生的过程以及区别,降低势垒电容方法。(III)第3章双极晶体管部分复****重点双极晶体管的四种工作状态,每一种工作状态的少子分布图以及能带图(均匀基区和缓变基区);晶体管内部各种电流成分及其传输过程;晶体管端口电流的组成成分,端口电流的数学关系;共基极和共发射极放大系数的定义以及二者的关系;发射极注入效率γ、基区输运系数β*以及电流放大系数α的定义,哪些措施可以提高γ、β*和α?用电荷控制法推导基区输运系数和基区渡越时间;基区输运系数的物理意义;缓变基区自建电场的形成过程,自建电场表达式的数学推导;小电流时放大系数下降的原因;发射区重掺杂效应及其物理原因;共基极和共射极的输出特性曲线,利用曲线如何测量放大系数;基区宽度调变效应(Early效应)的物理原因,此时的输出特性曲线的几何意义,如何利用输出曲线测量Early电压以及提高Early电压的方法;IEBO、ICBO、ICEO、IES、ICS以及BVCBO、BVCEO的含义;负阻特性曲线以及物理解释;基区穿通效应的含义,如何提高穿通电压,穿通电压的提高与其他电学参数的矛盾,基区穿通对ICEO-VCE特性的影响;基极电