利用LR1152B274GeV质子束轰击铅靶的散裂中子源外表面中子分布.doc

,—NezhadSRBrandtR夏海鸿丁大钊1(西北核技术研究所西安710024)2(Kemchemie,FB15,Philipps—University,Marburg,Gemumy)3(中国原子能科学研究院北京102413)摘要利用LR1152B探测器研究了68cm×,散裂中子在实验装置外表面的分布,对实验结果进行了模拟解析,,LR1152B,,,Rubbia等?-4J,由于驱动堆的性能很大部分将由散裂中子源决定,因此,人们进行了散裂中子源一'以及利用散裂中子源进行长寿命核废料嬗变的研究?.散裂中子源外表面的中子分布是决定驱动堆理论设计的重要因素之一,本文利用理论模拟,(JointInstituteforNuclearresearch,Dubna)研究所Synchrophasotron加速器上进行的,,×10个质子轰击在~bScm×20cm的铅靶上,铅靶由2O片lcm厚,8cm直径的铅饼构成,外层是6cm厚的石蜡组成的中子慢化层,径迹探测器置于慢化剂外表层,—up30cm国家重点基础研究(973)资助项目(G1999022600)第一作者:万俊生,男,1963年出生,1999毕业于德国Marburg大学,从事核化学,加速器驱动的反应堆和核泵浦激光工作,博士,副研究员收稿日期:2002—01—,~,它在热中子和超热中子的作用下发生下列反应:0B+n_++Li反应产物粒子由LR1152B记录下来,"],其热中子()的反应截面为3745×10rill,快中子的反应截面很低;中子能量大于1MeV时,反应截面只有2×10--3×10m,相对于热中子和超热中子反应,快中子反应可忽略不计,,并用目测法验证,详细的统计过程请参阅文献[12],×10"个质子轰击在铅靶上,每平方厘米LR1152B上产生的径迹数,图中理论结果是模拟7