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silvaco tcad工艺仿真模块及工艺仿真流程.ppt

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*,包括LOCOS,SWAMI,以及深窄沟的隔离在器件制造的不同阶段分析先进的离子注入方法——超浅结注入,高角度注入和为深阱构成的高能量注入支持多层次杂质扩散,以精确预测衬底与邻近材料表面的杂质行为考虑多重扩散影响,包括瞬态增强的扩散,氧化/硅化加强的扩散,瞬态激活作用,点缺陷和簇群构造以及材料界面的再结合,杂质分离,和传输通过MaskViews的掩模构造说明,工程师可以有效地分析在每个工艺步骤和最终器件结构上的掩模版图变动的影响。与光电平面印刷仿真器和精英淀积和刻蚀仿真器集成,可以在物理生产流程中进行实际的分析。.-Pearson注入模型非高斯深度相关的横向注入分布函数扩展的注入矩表,有能量,剂量,旋转和氧化物厚度变化用户定义的或蒙特卡洛提取的注入矩杂质扩散和点缺陷扩散完全复合氧化和硅化增强/延缓的扩散快速的热量减退和瞬态增强扩散(TED)由于导致点缺陷的注入和{311}-2MeV的大范围内精确校准能量偏差减少模拟技术可以提升十倍的效率精确计算由损伤,表面氧化,光束宽度变化,注入角度,,钨和铂的硅化物在基片硅中硅化物增强扩散扩散和反作用的有限生长率在硅化物/金属以及硅化物/硅(多晶硅),双向的,半球状的,轨道式的,,接近,和接触系统模拟非平面的基础构造相位移位,二元以及局部传动的掩模g,h,i,DUV和宽线源散焦,任意光源形状,

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