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电子技术第9章ppt课件.ppt

文档分类：高等教育 | 页数：约88页举报非法文档有奖

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、基本结构PNP型:NPN型::基区:集电区:以NPN型为例:两个结:发射结、集电结三个电极:发射极e、基极b、集电极c。参杂浓度最大——发射载流子很薄,参杂浓度最小——控制载流子体积大,参杂浓度小于发射区——、工作状态条件:发射结正偏,集电结反偏。发射区发射载流子→形成电流IE少部分在基区被复合→形成IB大部分被集电区收集→⑴UBBRBIEICIB⑵电流的关系IE=IB+IC当IB=0时,静态时,直流电流放大系数动态时,交流电流放大系数≈ICIBIC-ICEOIBβ=ICIBβ=UCE=常数ICIB≈IC=UBBRBIEICIBIB微小的变化,会产生IC很大的变化。IC=βIBUCE=UCC-RCIC0<UCE<UCC晶体管相当于通路。⑶UBBRBIEICIB特点:IB↑,IC基本不变。IC≈UCC/RC。UCE≈0。晶体管相当于短路。条件:发射结正偏,集电结正偏。IB↑,IC↑UCE=(UCC-RCIC)↓ICM=UCC/:IB=0IC=0UCE=UCC晶体管相当于开路。:发射结反偏,集电结反偏。UBBRBIEICIB⑴IB受UBE控制,与UCE关系不大。⑵晶体管有死区电压(,)。⑶T,曲线向左平移。:IB=f(UBE)UCE=常数三、特性曲线UCE≥1V25℃UCE≥1V75℃80604020UBE/VIB/+uCE-+uBE-iBBEC

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