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离子注入法介绍模板.ppt离子注入法介绍.....1■概述■离子注入工艺设备及其原理■射程与入射离子的分布■实际的入射离子分布问题■注入损伤与退火■离子注入工艺的优势与限制离子注入(Ionlmplantation)参考资料:《微电子制造科学原理与工程技术》第5章离子注入(电子讲稿中出现的图号是该书中的图号).....2■离子注入工艺是IC制造中占主导的掺杂技术■离子注入:将杂质离化,通过电场加速,将这些离化的杂质直接打入硅片中,达到掺杂的目的■一般CMOS工艺流程需6~12次离子注入■典型的离子注入工艺参数:能量约5~200keV,剂量约1011~1016/cm2。一、概述(一)介绍.....3(二)MOSFET工艺中的离子注入.....4(1)离子源——杂质离子的产生(2)加速管——杂质离子的加速(3)终端台——离子的控制二、离子注入工艺设备及其原理1、离子注入技术的三大基本要素:(1)离子的产生(2)离子的加速(3)离子的控制2、离子注入系统的三大组成部分:.....5.....6■气态源:(或固体源)BF3AsH3PH3SiH4H2■放电室:低气压、分解离化气体BF3B,B+,BF2+,F+,……■引出狭缝:负电位,吸引出离子(1)离子源: 离子束流量(最大mA量级) 吸极电压Vext:约15~30KV,决定引出离子的能量(速度)产生杂质离子.....7.....8■出口狭缝:只允许一种(m/q)的离子离开分析仪(2)质量分析器:■分析磁铁:磁场方向垂直于离子束的速度方向离子运动路径:离子运动速率:质量m+m的离子产生的位移量选择注入所需的杂质成分(B+).....9.....10