光电传感器论文.docx

光电传感器实验研究摘要:随着科技的发展,人类越来越注重信息和自动化,在日常的生产学****过程中,人们常常要进行自动筛选、自动传送,而为了实现这些,光电传感发挥了不可磨灭的作用。光敏传感器的物理基础是光电效应, 即光敏材料的电学特性因受到光的照射而发生变化。关键词:光电效应、光电传感器、光敏材料一、 理论基础——光电效应光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。外光电效应是指在光照射下,电子逸出物体表面的外发射的现象, 也称光电发射效应,基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象,称为光电导效应,大多数光电控制应用的传感器,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等都属于内光电效应类传感器。,材料表面的电子吸收的能量,若电子吸收的能量足够大,电子会克服束缚逸出表面,从而改变光电子材料的导电性,这种现象成为外光电效应。根据爱因斯坦的光电子效应,光子是运动着的粒子流,每种光子的能量为hv(v为光波频率,h为普朗克常数),由此可见不同频率的光子具有不同的能量,光波频率越高,光子能量越大。假设光子的全部能量交给光子, 电子能量将会增加,增加的能量一部分用于克服正离子的束缚, 另一部分转换成电子能量。 根据能量守恒定律:1 2mv hv w2式中,m为电子质量,v 为电子逸出的初速度 ,w为逸出功。由上式可知,要使光电子逸出阴极表面的必要条件是 hv>w。由于不同材料具有不同的逸出功,因此对每一种阴极材料,入射光都有一个确定的频率限, 当入射光的频率低于此频率限时, 不论光强多大,都不会产生光电子发射,此频率限称为“红限”。相应的波长为hc 式中,c为光速,w为逸出功。 ,由于半导体中的电子吸收了光子的能量,使电子从半导体表面逸出至周围空间的现象叫外光电效应。 利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。半导体材料的价带与导带间有一个带隙 ,其能量间隔为Eg。一般情况下,价带中的电子不会自发地跃迁到导带 ,所以半导体材料的导电性远不如导体。但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量 ,就可以将其激发到导带中,形成载流子,增加导电性。光照就是一种激励方式。当入射光的能量hν≥E(gEg为带隙间隔)时,价带中的电子就会吸收光子的能量 ,跃迁到导带,而在价带中留下一个空穴 ,形成一对可以导电的电子 ——空穴对。这里的电子并未逸出形成光电子,但显然存在着由于光照而产生的电效应。因此,这种光电效应就是一种内光电效应。从理论和实验结果分析 ,要使价带中的电子跃迁到导带,也存在一个入射光的极限能量 ,即Eλ=hν0=E其g,中ν0是低频限(即极限频率ν0=Egh。)这个关系也可以用长波限表示 ,即λ0=hcE。g入射光的频率大于 ν0或波长小于λ0时,才会发生电子的带间跃迁。当入射光能量较小,不能使电子由价带跃迁到导带时,有可能使电子吸收光能后 ,在一个能带内的亚能级结构间 (即图1中每个能带的细线间)跃迁。二、)光敏电阻又称光导管,常用的制作材料为硫化镉,另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下, 其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电, 在外