IRF540中文数据手册.doc

IRF540N沟道MOS管特性‘Thrench'工艺低的导通内阻快速开关低热敏电阻综述N通道增强型场效应功率晶体管使用沟渠工艺封装的应用:转换器DC到DC开关电源电视及电脑显示器电源IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。IRF540S中提供的是SOT404(DPAK)表面安装的包裹。管脚描述管脚Gate1Drain2Source3DrainTab极限值系统绝对最大值依照限制值符号参数条件最小值最大值单位V漏源极电压Tj=25?Cto175V_DSS?C100-C;?Cto175?Tj=25漏门极电压V100-V_DGRV_GSI_DI_DMP_DTj,Tsig门源极电压连续漏电流脉冲漏电流总功耗操作点和存储温度RGS=20k?Tmb=25?C;VGS=10VTmb=100?C;VGS=10VCTmb=25?Tmb=25?C------55±20231692100175VAAAW℃雪崩能量极限值符号参数条件最小值最大值单位EASIAS非重复性雪崩能量最大非重复性雪崩电流Unclampedinductiveload,IAS=10A;s;Tjpriortoavalanche=25?C;tp=350μ25V;RGS=50?;VGS=10V;VDD≤refertofig:14--23023mJA热敏电阻符号参数条件最小值典型值最大值单位Rmbthj?Rathj?界安装底座交处的热阻周围环境热阻SOT78封装,自由空间封装,PCB上SOT404------K/WK/WK/W电特性25℃除非另有说明符号参数条件最小值典型值最大值单位VDSS(BR)V)GS(TOR)ON(DS漏源极崩溃电压门阀电压漏源极导通电阻VI=;=0VGSD55?CTj=-VV;ID=1mA=GSDSTj=175?CTj=-55?CV=10V;ID=17AGSTj=175?C1008921----3--49132--4-677193VVVVVmΩΩmgfsIGSSIDSS向前跨导门源极泄漏电流门极电压漏电流0VI=17A=25V;DSDVV=±20V;=0VDSGSVDS=100V;VGS=0VVDS=80V;VGS=0V;Tj=175?-----10010250SnAuAuAQ)totg(QgsQgd总共门极电荷门源极电荷门漏极电荷ID=17AVDD=80V;VGS=10V------CTondTrToffdTf开启延迟时间开启上沿时间关闭延迟时间关闭下沿时间VR=?;=50V;DDDVR=?=10V;GDDResistiveload----8392624----nsnsnsnsLdLdLs内部漏电感内部漏电感内部源极电感MeasuredtabtocentreofdieMeasuredfromdrainleadtocentreofdie(SOT78packageonly)Measuredfromsourceleadtosourcebondpad------nHnHnHCiSSCoSSCrSS输入电容输出电容反馈电容VV=25V;f=1MHz=0V;SGSD---=28A;FV=0VGS-----=0V;;=17AGSFIV=25V-d/dt=100A/us;RF--61200--nsnC底座温度-自然功率降低百分比图1:自然功率损耗底座温度-漏电流降低百分比:自然持续漏电流2图漏源极电压-脉冲漏极电流峰值图3:安全操作区域脉宽-瞬态热阻抗:瞬态热阻抗4图漏源极电压-漏极电流图5:典型输出特性漏极电流-漏源极导通阻抗:典型导通阻抗6图:典型传递特性7图图8:典型跨导图9:漏源极导通阻抗:门阀电压10图图11:阈漏极电流