bjt与场效应管.ppt

§(a)小功率管(b)小功率管(c)中功率管(d)大功率管双极型晶体管又称三极管。电路表示符号:BJT。根据功率的不同具有不同的外形结构。,根据排列方式的不同可分为NPN型和PNP型两种,每个PN结所对应区域分别称为发射区、基区和集电区。。:较薄,掺杂浓度低集电区:面积较大发射区:,其工作特性与其工作模式有关:当EB结和CB结均加正偏时,BJT处于饱和模式;当EB结加零偏或反偏、CB结加反偏时,BJT处于截止模式。当EB结加正偏,CB结加反偏时,BJT处于放大模式;BJT主要用途是对变化的电流、电压信号进行放大,饱和模式和截止模式主要用于数字电路中。,其结论同样适用于PNP型BJT,不同的是外加电压与前者相反。输入回路输出回路共射极放大电路工作的基本条件:EB结正偏;CB结反偏。VCC>VBB>:用较小的基极电流控制较大的集电极电流,或将较小的电压按比例放大为较大的电压。a).EB结加正偏,扩散运动形成IE。b).扩散到基区的自由电子与空穴复合形成IB。c).CB结加反偏,漂移运动形成IC。。IBE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBE,多数扩散到集电结。发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。,有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICE从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,形成ICE。ICBO:发射极开路时集电结反向饱和电流ICEO:反偏作用下的电流,称为穿透电流。分析时可忽略,但可反映BJT的质量。=IBE-ICBONPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBOICEIBE10.