第5章存储器扩展技术ppt课件.ppt

主讲:陈燕慧2019年4月第5章51系列单片机的系统扩展一、半导体存储器的分类根据存储介质不同,可分为:半导体存储器,磁心存储器,电耦合存储器。目前,计算机内部均采用半导体存储器,只讨论半导体存储器,按照存储器的存取功能不同,半导体存储器可分为1)只读存储器(ReadOnlyMemory,简称ROM)2)随机存储器(essMemory,简称RAM)3)串行存储器。(ROM)功能:用于存放程序,常数和表格常数等。特点:把信息写入存储器后,能长期保存,不会因电源断电而丢失信息,在计算机运行过程中,只能读出信息,不能再写入信息。一旦写入信息,不能随意更改。根据编程方式的不同,ROM可分为以下5种:1)掩模工艺ROM特点:编程是由制造厂完成,即在生产过程中进行编程。用户不能改变其内容。结构简单,集成度高,适于大批量生产。2)可一次性编程ROM(PROM)特点:程序是由用户写入,只能写一次,但不能再进行修改。3)紫外线擦除可改写ROM(EPPROM)特点:用电信号编程而用紫外线擦除。程序由用户写入,运行多次擦除和重新写入。典型产品型号有:Intel公司27系列产品:2716(2KB×8),2732(4KB×8),2764(8KB×8),27128(16KB×8),27256(16KB×8)等。4)电擦除可改写ROM(EEPROM或E2PROM)特点:用电信号编程也用电信号擦除。可以通过读写操作进行逐个存储单元读出和写入,读写操作与RAM存储器差不多,只是写入速度慢一些。但断电后能保存信息。典型产品型号有:28C16、28C17、2817等。5)快擦写ROM(闪速存储器即FlashROM)特点:是在EPPROM和E2PROM基础上发展的一种ROM,读写速度很快。存取时间达70ns(纳秒),存储容量达16~128MB。改写次数可达1万~100万次。可在线写入,自动覆盖内容,可按页连续字节写入。典型产品型号有:28F256、28F516、AT89等。:用于存放可随时修改的数据,常用于单片机控制领域。但是掉电后信息立刻消失。这时在单片机应用系统要有掉电保护电路路,以便及时提供备用电源,防止因掉电信息丢失。按制造工艺可分为:1)双极性RAM特点:存取时间短,一般为几到十几纳秒。与MOS型相比,集成度较低,功耗大,价格较高。应用场合:主要用于存取时间短微型计算机中。2)MOS(金属氧化物)RAM特点:与双极性RAM相反。在单片机系统中一般使用此种类型。按工作方式不同,可分为:静态读写存储器SRAM(essMemory)特点:集成度比较高,功耗比双极性RAM低,价格也比较便宜。动态读写存储器DRAM(essMemory)特点:集成度很高,功耗、价格比SRAM低。是一种CMOS工艺制成的电擦除可编程ROM,最近逐渐发展的。典型产品:二线制24CXX系列产品,三线制93CXX系列产品。、:通常用某一芯片有多少个存储单元、每个存储单元存储若干未来表示。例如:静态RAM6264的容量为8K×8,表示有8K个单元(1K=1024),每个单元存储8位(一个字节)数据。。在计算机工作时,CPU在读写RAM时,它所提供的读写时间必须比RAM芯片所需要的存取时间长。如果不满足,微机则无法正常工作。3)可靠性微型计算机要正确地运行,必须要求存储器系统具有很高的可靠性。内存的任何错误就可以导致计算机无法工作。4)功耗使用功耗低的存储器芯片构成存储系统,不仅可以减少对电源容量的要求,而且可以提高存储系统的可靠性。