江西新华电脑学院-第三讲 内存ppt课件.ppt

第三讲内存本讲主要内容:内存分类及用途内存的性能指标内存封装技术看编号识内存DOS下的内存管理一、内存分类及用途内存RAMROMDRAMSRAMDDRAM(DDRII)SDRAMRDRAM内存条高速缓存(CACHE)MASKROMPROMFLASHROMEPROMEEPROM监控程序、汇编程序主板BIOS早期主板BIOSRDRAMDDRAMSDRAM二、内存性能参数1、内存容量2、内存线数3、内存电压4、数据宽度和带宽5、SPD6、奇偶校验(parity)7、内存时钟周期(TCK)8、内存存取时间(TAC)9、CASLatency10、存取周期(TMC)如:某SDRAM内存数据宽度为64位,工作频率为100MHz,则其带宽为:64b×100MHz/8=800MB再如:早期RDRAM内存工作频率为800MHz,数据宽度为16位,则其带宽为:16b×800MHz/8=,容量为256B,里面主要保存了该内存条的相关资料,如容量、芯片厂商、工作速度、校验等,电脑在启动时会自动检测SPD中的资料,并以此设定内存的工作参数,使之以最佳状态工作是一种检验技术,为检验存取数据是否准确无误,内存条中1个字节配备1位奇偶校验位内存时钟周期。代表着内存标称运行的最大工作频率。通常与内存的运行频率成反比,也就是说,,×1000=133MHz。这样我们就可以大概的估算出未知内存的标称最大工作频率。与时钟周期不同的是,tAC仅仅代表着内存在访问数据时所需的时间,目前大部分的SDRAM的存取时间都在5ns~7ns之间,但这并不代表这它的工作速度为7ns。如一些PC100的内存上标识为-7J,其实是指它的存取时间为7ns,并非是它的速度达到了7ns表示系统对内存发出寻址信号后还需等待多长时间才能读出数据,用工作时钟频率的周期作单位。CAS一般为2或3存储器的两个基本操作为读出与写入,两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。TCKxCasLatency模数+存取时间如:10×3+7=37ns常见内存参数表内存型号FPMRAMEDORAMSDRAMDDRAMRDRAMDDRIIRAM内存线数30/7272/168168184184240数据宽度8/3232646416/、内存封装方式封装技术即将集成电路打包的技术,不同封装技术的内存条,在性能上会存在较大差距,封装不仅保证芯片与外界隔离,便于安装和运输,而且封装好坏直接影响芯片自身性能的表现和发挥。芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比越接近1越好1、DIP封装内存芯片最初封装是采用双列直插封装,即DIP(Dualln-linePackage),DIP封装尺寸远比芯片大不少,封装效率很低,占用很多有效安装面积。2、TSOP封装TSOP封装技术目前还是内存封装的主流,TSOP(ThinSmallOutlinePackage)即薄型小尺寸封装,如左图,它在封装芯片的周围做出引脚