第六章 MOS电路版图设计ppt课件.ppt

第六章MOS电路版图设计2004年8月*HITMicro-ElectronicsCenter§6-1MOS管图形尺寸的设计2004年8月*HITMicro-ElectronicsCenter思考题(W/L)如何确定?(W)和长度(L)如何确定??2004年8月*HITMicro-ElectronicsCenter(W/L)的确定(1)NMOS逻辑门电路是有比电路,根据VOL的要求,确定最小R。ViVoVDDMLMIViVoVDDMDME(2)根据负载CL情况和速度要求(tr和tf)确定负载管和等效输入管的最小W/L。VOL(VDDVTL)22R(VOHVTI)E/E饱和负载VOLVTD22R(VOHVTE)E/D2004年8月*HITMicro-ElectronicsCenter(W/L)的确定(续)ViVoVDDMLMIViVoVDDMDME(3)根据功耗的要求来确定负载管最大的W/L。(4)根据上述结果最终确定负载管和等效输入管的W/L。(5)根据输入结构和等效输入管的W/L确定每个输入管的W/L。VDDABCF2004年8月*HITMicro-ElectronicsCenter(W/L)的确定(2)根据负载CL情况和速度要求(tr和tf)确定等效的PMOS管和NMOS管的最小W/L。ViVoVDDMPMN(1)根据抗干扰能力(噪声容限、输入转折电压V*)确定0范围。V*=VDD+VTP+VTNo1+oo增大VDD0VOViVDDV*2004年8月*HITMicro-ElectronicsCenter(W/L)的确定(续)(4)根据电路结构和等效的W/L确定每个管的W/L。(3)根据上述结果最终确定等效的PMOS管和NMOS管的最小W/L。ViVoVDDMPMN无比电路VOL与o无关VDDABFnor22004年8月*HITMicro-ElectronicsCenter(W/L)的确定(2)对于CMOS传输门,一般应当考虑NMOS管和PMOS管特性的对称性。MOS的W/L直接影响传输门的导通电阻,因而影响传输速度。因此,根据传输速度的要求、负载情况和前级驱动情况来确定MOS管的W/*HITMicro-ElectronicsCenter(L)的确定(2)要考虑工艺水平。(1)要考虑MOS管的耐压能力,一般MOS管的击穿电压由源漏穿通电压决定:BVDSP=qNBL2/2osi(3)要考虑沟道长度调制效应对特性的影响。(4)对于窄沟(长沟)器件应先考虑确定沟道宽度W,然后再根据已确定W/L的值来确定L的值。WL2004年8月*HITMicro-ElectronicsCenter(W)的确定(2)对于窄沟(长沟)器件,应根据工艺水平先考虑确定沟道宽度W,然后再根据已确定W/L的值来确定L的值。(1)根据已确定的W/L和L的值来确定W的值。LW2004年8月*HITMicro-ElectronicsCenter