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文档分类:高等教育

模电课件-14tmp第四章-场效应管.ppt


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模电课件-14tmp第四章-场效应管.ppt
文档介绍:
4.4MOS模拟集成电路基础4.4.1MOS模拟集成基本单元电路1.MOS恒流源IRroIoEDT1T2T3ECRIRT1T2+UBEQ-接放大器roIC2IB2IB12IBIC1λ相当于BJT的厄利电压,λ的单位是1/V,典型值为0.01/V~0.02/VW/L为沟道宽度与长度之比输出电阻ro=rds2(1)镜像恒流源Date模电课件EDIRT1TT2Io1(2)MOS比例恒流源T3Io2ECRIRT1T2IC2T3IC3T4IC4TnIC(n+1)(n+1)IBIB2IB1IB3IB4IBnR1ECRIRT1T2接放大器R2UBIE1IE2IC2Date模电课件(3)MOS威尔逊恒流源T1T3IoIRTT2ECRIRIC2IC1T1T2IC2IB3IC2T2T3+UBEQ-+UBEQ-IC3IB3IB12IB3IE2ro≈gm2rds2rds1Date模电课件4.16填空题1.场效应管(FET)依靠()控制漏极电流iD,故称为()控制器件。电压电压2.FET工作于放大区,又称为()区或()区。此时iD主要受()电压控制,而iD几乎不随()电压的改变而变化。恒流饱和栅源uGS漏源uDS3.N沟道FET放大偏置时,沟道电流iD的方向是从()极到()极;P沟道FET放大偏置时,iD的方向是从()极到()极漏D源S源S漏D4.沟道预夹断是指沟道在()位置刚好消失的状态。此时,uDS与uGS满足的关系式称为()方程。漏DuDS=uGS-UGS(off)Date模电课件5.FET的小信号跨导定义为gm=(),对于耗尽型管gm≈()或();对于增强型管gm≈()Date模电课件P145截止区uGS<UGS(th)<0改为P145截止区uGS<UGS(th),UGS(th)>0Date模电课件6.在放大区,耗尽型管转移特性曲线近似满足的平方律 内容来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.
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  • 文件大小241 KB
  • 时间2020-10-16
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