硬件工程师笔试题目汇总.doc

另外还有其它抑制干扰方法,包括滤波、正确选用无源元件和电路技术。滤波是抑制和防止干扰的一项重要措施。滤波器可以显著地减小传导干扰的电平,对高频电路可采用两个电容器和一个电感器(高频扼流圈)组成的CLCMπ型滤波器。滤波器的种类很多,选择适当的滤波器能消除不希望的耦合。实用的无源元件并不是“理想”的,其特性与理想的特性是有差异的。实用的元件本身可能就是一个干扰源,因此正确选用无源元件非常重要。有时也可以利用元件具有的特性进行抑制和防止干扰。有时候采用屏蔽后仍不能满足抑制和防止干扰的要求,可以结合屏蔽,采取平衡措施等电路技术。平衡电路是指双线电路中的两根导线与连接到这两根导线的所有电路,对地或对其它导线都具有相同的阻抗。二极管工作原理(正向导电,反向不导电)晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。(这也就是导电的原因)当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。(这也就是不导电的原因)三极管的工作原理(电流放大作用)三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB,Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。放大电路的组成原理(应具备的条件)(1):放大器件工作在放大区(三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置)(2):输入信号能输送至放大器件的输入端(三极管的发射结)(3):有信号电压输出。判断放大电路是否具有放大作用,就是根据这几点,它们必须同时具备。半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。在热力学温度零度和没有外界能量激发时,价电子受共价键的束缚,晶体中不存在自由运动的电子,半导体是不能导电的。但是,当半导体的温度升高(例如室温300oK)或受到光照等外界因素的影响,某些共价键中的价电子获得了足够的能量,足以挣脱共价键的束缚,跃迁到导带,成为自由电子,同时在共价键中留下相同数量的空穴。空穴是半导体中特有的一种粒子。它带正电,与电子的电荷量相同。把热激发产生的这种跃迁过程称为本征激发。显然,本征激发所产生的自由电子和空穴数目是相同的。扩散与漂移漂移是指在电场作用下的运动,扩散是指在浓度差驱使下的运动。在PN结中,P区由于富含空穴,N区富含电子,电子向P区扩散,于是在PN结P处累积了N区扩散来的电子,而N区因电子转移到P区变成空穴剩余。在结处,从N区转移到P区的电子和N区剩余的空穴构建了一个内建电场,当N区向P区扩散的电子数目达到一定程度的时候,内建电场的强度刚好增长到不能使更多的电子扩散