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文档分类:通信/电子

《半导体光电子学课件》下集2.4 对注入激光器异质结材料的要求.ppt


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《半导体光电子学课件》下集2.4 对注入激光器异质结材料的要求.ppt
文档介绍:
§2.4对注入激光器异质结材料的要求1ppt课件一.从激光波长选择LD材料LD须是直接带隙材料(经验)GaAlAs:Eg大0.65~0.9μmInGaAsP:Eg小1.1~1.7μm2ppt课件3.Eg的选择与计算①三元化合物1.424+1.247xx<0.45→直接带隙跃迁0.45<x<1→间接带隙跃迁不能用GaAlAs产生λ<0.65μm3ppt课件4ppt课件②四元化合物利用弗伽定律③的要求,(要一定的禁带宽度台阶)电子空穴5ppt课件GaAlAs:80~85%防电子泄漏效果好InGaAsP:30~40%但↑,不可能任意提高重掺杂会使带隙收缩,使LD波长红移6ppt课件二.从晶格匹配来考虑异质结LD材料分析图2.4-2①二元化合物用点描述InSb,InAs②三元化合物用线描述GaAlAs,InGaAl③四元化合物用线包围的区域描述④实线表示直接带隙⑤波浪线表示间接带隙⑥InP横直线表示晶格匹配的材料GaAs7ppt课件8ppt课件InGaAs/InP1.0~1.7μm1.0~1.1μm实际无材料△Ec太小,对电子基本无限制传统的材料:0.65~0.91.1~1.7μm90年代0.4→2μm蓝远红外1.48μm(噪声大)0.98EDFA9ppt课件三.由光波导效应来选择LD材料1.双异质结有源层折射率高,两边限制层n低光子限制,要求3~7%2.Eg与定性关系组分x↑Eg↑x↑↓↓Eg↑10ppt课件
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  • 时间2020-10-24
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