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扩散与离子注入DiffusionandlonImplantation(第二讲)2003年10月8日扩散与离子注入典型MOS工艺回顾NMOS结构∠:Fp-,2Thebasicstructureofannchs〕transistorfa)Theverticalcrosssectionthroughthetransistor,(b)acompositetopviewofthemasksusenttofabricatethetransisterin(al2003年10月8日扩散与离子注入NMOS典型工艺TopwiewofMassP-Osalian热氧化■薄膜沉积■光刻刻蚀■注入扩散互连封装2003年10月8日扩散与离子注入CMOS工艺SMOG2003年10月8日扩散与离子注入光刻技术正胶负胶2003年10月8日扩散与离子汪入热氧化SiliconwaferOxidationBird'sbeaNitrideremovalNitrideremovalO,(a)semirecessedand(b)fullyrecessed2003年10月8日扩散与离子注入第四章:扩散向硅中引入杂质的重要方法之一,用于控制主要载流子类型、浓度,进而控制导电率■主要介绍:扩散的基本原理、扩散层的片电阻、扩散层深度的测量,以及物理扩散系统。2003年10月8日扩散与离子注入扩散过程■替位扩散Substitutionallitany口杂质沿着晶格运动口必须有空位存在添隙扩散口杂质通过晶格位之间的间隙运动□扩散速度快于替位扩散□扩散过程难以控制2003年10月8日扩散与离子注入2、扩散的数学描述Fick第一定律ON口D为扩散系数ax口描述扩散粒子的空间分布口描述扩散粒子的时间分a2NON■Fick第二定律布2003年10月8日扩散与离子注入3、两种扩散方式■恒定源扩散D3>D22>D1surtace,x■有限源扩散品唧-(、)Dy>22>D12003年10月8日扩散与离子注入