3半导体二极管。在一定条件下可导电。导电的重要特点1、导电能力容易受环境因素影响 (温度、光照等)2、掺杂可以显著提高导电能力典型的半导体有硅Si和锗Ge以及***化镓GaAs等。—完全纯净、结构完整的半导体晶体。=0K和无外界激发时,没有载流子,、空穴及其导电作用温度光照自由电子空穴本征激发空穴——共价键中的空位由热激发或光照而产生自由电子。*半导体导电特点:其能力容易受温度、光照等环境因素影响温度↑→载流子浓度↑→导电能力↑(如磷)P型半导体掺入三价杂质元素(如硼)自由电子=多子空穴=少子空穴=多子自由电子=少子由本征激发形成它主要由杂质原子提供6掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响,一些典型的数据如下:T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=×1010/cm312掺杂后N型半导体中的自由电子浓度:n=5×1016/*——由于电场作用而导致载流子的运动成为漂移。扩散——基于载流子的浓度差异和随机热运动速度,载流子由高浓度区域向低浓度区域扩散的运动。空间电荷区少子的漂移运动阻止多子的扩散4、扩散与漂移达到动态平衡P区N区扩散:空穴电子漂移:电子空穴形成过程可分成4步(动画)内电场10
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