反射损耗与波阻抗有关-世纪电源网.ppt

第四章电磁屏蔽技术
屏蔽材料的选择
实际屏蔽体的设计
01068386283
电磁屏蔽
屏蔽前的场强E1
屏蔽后的场强E2
对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,
电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:
杨继深2004年5月
SE=201g(E1E2)
dB
实心材料屏蔽效能的计算
入射波
SE=RI+R2+A+B
R+A+B
场强
吸收损耗A
杨继深29396283
距离
吹收损耗的计算

入射电磁波E
剩余电磁波E1
E1=Eoe
A=201g(EO/El)=20 1g(e t/8) dB
A=(t/6)
dB
杨继深2005A=334tVfμr
dB
趋肤深度举例
趋肤深度(单位:mm)
10
铝

50Hz

MHZ
反射损耗
场:3779
R=201
近场:取决于源的阻抗
4ZS
Zs=368×10Vfμ/or同一世材的阻
抗随频率变
反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗
越大
电话01068386283
不同电磁波的反射损耗
远场:R=20lg
377
4 Zs
电场:R=2025
dB
磁场:R=201g2Df
Zs=屏蔽体阻抗,D=屏蔽体到源的距离(m)
f=电磁波的频率(MHz)
影响反射损耗的因素
R(dB)
场
靠近辐射源
150
平面波
磁场r=1m
靠近辐射源

杨继深2004年5月
3×108/2πr
综合屏蔽效能()
屏蔽效能
(dB
50的
场波r=
150平面波
高频时
电磁波种类
的影响很小
磁场波r=
标 gods1k10k100k1M10M频率
电话010-68386283
多次反射修正因子的计算
电磁波在屏蔽体内多次反射,会引起附加的电
磁泄漏,因此要对前面的计算进行修正
B=20lg(1-e216)
说明:
B为负值,其作用是减小屏蔽效能
当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时,可以忽略
对于电场波,可以忽略
杨继深2004年5月