大功率LED封装的材料技术.ppt

邑大亭
Wuyi Univ
大功率LED封装的材料
目录
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4LED晶片(芯片)基础
②LED导线架(支架)
LED封装用荧光粉
LED封装胶水
LED封装键合线
第一部分LED晶片(芯片)基础远大粤
、组成及作用

13晶片的分类和主要技术参数
14晶片的检测
15晶片使用注意事项
11晶片的结构、组成及作用
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111晶片的结构
正装LED
垂直结构LED
倒装LED
电积
p-GaN
n电板
P-GaN
nGaN
石或SiC
金属基座
凸点
芯片电极接触方式
①L接触( Laterial- contact水平接触),L型电极,电流横向流动
②ν接触( Vertical- contact垂直接触),ν型电极,电流纵向流动,发光面积增大
出光效率提高。
(1)外延片 wafer
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外延( Epitaxy)是指在特定的衬底材料上按照晶
体取向关系进行的晶体生长
外延片:利用外延技术生长的特定结构的晶片。
(2)外延片的制备方法:
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①HVPE( hydride vapor-phase epitaxy)氢化物气相外延
生长快,制备大块GaN,做同质衬底材料。
②MBE( molecular-beam epitaxy)分子束外延
生长最慢,可生长高质量InGN和InN,成长周期长,产能
低
3 MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积
生长适中,可制备GaN、 In gaN、 AlGaN,广泛应用。
(2)外延片的制备方法:
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材料制备
MOCVD机台
(2)外延片制备方法:
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MoCⅴD制备GaN:
反应方程式:Ga(CH3)3+NH3→GaN+3CH4
原料:
IA族金属:Ga(CH3)、AⅣ(H3)3、In(CH3)3、 Ga(CH,CH2)3等
VA族元素:NH3
P型杂质Si:硅烷(SH4)
n型杂质Mg:二茂镁Mg(CfH21
生成的GaN薄膜吸附在衬底上,CH排出。
12晶片的制造工艺和流程
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MOCVD外延生长
蓝宝石衬底
GaN-LED外延结构生长
先利用***和异丙醇对蓝宝石衬底进行有机超声淸洗,去除表面有机物,进行吹干,
再利用(H2SO4:HO2=2:1,HCl:H2O2=3:1)进行无机清洗,去除表面氧化物。吹干
后放入 MOCVD设备中依次生长半导体外延叠层。生长的半导体叠层依次包括N型GaN
层、MQWS层、P型GaN层
将上述样品取出,再次重复上述方法进行有机跟无机清洗吹干,放入生长ZnO的
MOCVD设备中外延生长ZnO基透明导电薄膜层
12晶片的制造工艺和流程
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Zno
GaN
n-GaN
蓝宝石衬底
产匀胶台
负性光刻胶:负性光刻胶在曝光后硬化变得不能溶解。
正性光刻胶:正性光刻胶曝光后软化变得可溶